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盛夏的記憶新蟲 (初入文壇)
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[求助]
ZnO建模 關(guān)于真空層問題新手請(qǐng)教 已有2人參與
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需要建立如下圖所示納米線模型，即Zn48O48要計(jì)算態(tài)密度和能帶結(jié)構(gòu)，按照文獻(xiàn)是先建立7×7×2超胞，刪掉多余原子，再設(shè)置另外兩個(gè)方向上的10埃的真空層，我的問題是，若先建立超胞，刪掉多余原子之后，得到初始模型，但這時(shí)打開build,crystal,build vaccum slab這個(gè)選項(xiàng)就變灰色不可用了，不能建真空層，到底怎么回事呢？若是建立這種結(jié)果具體步驟該怎樣呢，謝謝！剛?cè)腴T實(shí)在不懂，還望各位多多指教! 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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17樓2017-03-03 13:41:54
zhangfrank
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
盛夏的記憶(蛋蛋小童鞋代發(fā)): 金幣+5, 謝謝參與，小木蟲鼓勵(lì)積極回答問題者 2017-03-01 08:54:41
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盛夏的記憶(蛋蛋小童鞋代發(fā)): 金幣+5, 謝謝參與，小木蟲鼓勵(lì)積極回答問題者 2017-03-01 08:54:41
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用GaN模型試了一下（GaN和ZnO空間對(duì)稱性一樣） 首先：build,crystal,build vaccum slab這個(gè)操作只能對(duì)surface slab做，也就是你做這步之前必須要先把某個(gè)bulk material切割成某個(gè)方向的表面，然后在這個(gè)表面的法線方向加一定厚度的真空。所以如果你想這么做，正確的方法是： （1） 先建立超胞，刪掉多余原子之后，得到初始模型 （2） 切割（0 1 -1 0）方向表面，在這個(gè)表面加上真空 （3） 切割（1 0 -1 0）方向表面，在這個(gè)表面加上真空 不過這個(gè)辦法比較復(fù)雜，我嘗試了下，可以用下面方法，簡便有效： （1）先建立超胞，刪掉多余原子之后，得到初始模型 （2）直接修改晶格常數(shù)：build,crystal， rebuild crystal, lattice parameters中把a(bǔ)b晶格常數(shù)修改就行。 倆方法得到的結(jié)構(gòu)應(yīng)該是一樣的。 注意： 修改晶格常數(shù)，如果直接是右鍵，lattice parameters，修改ab，那么材料的空間坐標(biāo)會(huì)等比例變化（也就是整體會(huì)被拉伸） build,crystal， rebuild crystal, lattice parameters中把a(bǔ)b晶格常數(shù)修改，是材料不變，只改了晶格常數(shù)，等價(jià)于加真空 |
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2樓2017-02-28 12:00:19
盛夏的記憶
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送紅花一朵 |
我按照你所說的先導(dǎo)入ZnO結(jié)構(gòu)，直接建了7×7×2的超胞，然后刪掉周圍多的原子，如下圖，晶格參數(shù)應(yīng)該設(shè)置多少呢在哪可以查到? a,b代表的是這個(gè)框的長度吧？文獻(xiàn)中有這樣一句話：the supercell contained a vaccum region of 12埃 perpendicular to the nanowire axis. 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
3樓2017-02-28 14:44:56
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4樓2017-02-28 14:46:45
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