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關(guān)于泡沫鎳上生長石墨烯的超級電容器測試問題 已有6人參與
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用三電極測試，參比電極Hg/HgO，對電極是Pt絲，工作電極是在泡沫鎳上生長的石墨烯電極片(1cm×1cm)，活性物質(zhì)石墨烯的量是8mg，電解液是6 mol/L的KOH溶液，測試電位窗口0.2-0.6V。有幾個問題想請教一下： 1. 測試出的CV曲線不是矩形，是因為基底泡沫鎳的緣故嗎？，那該如何避免泡沫鎳的影響呢？ 2. 用CV計算的比電容值非常小，只有20-40F/g左右，掃速10mv/s，是測試的原因還是材料本身有問題？ 3. 在CV電壓加到0.65V以上時，電極片上就會出現(xiàn)氣泡，是電解了水的原因？另外，氣泡產(chǎn)生多了之后，長在泡沫鎳上的石墨烯會脫落，是因為在泡沫鎳表面發(fā)生電解水反應(yīng)，產(chǎn)生的氣體將負(fù)載的石墨烯擠掉了嗎？ 4. 單測泡沫鎳的CV時，電壓稍加高點到0.6V，泡沫鎳就立馬變黑，是因為生成了氧化鎳的緣于嗎？該如何避免呢？ 5. 每測一次CV，石墨烯的比電容就升高一點，測試了450圈后，由一開始的9F/g變成80F/g了，是泡沫鎳的原因還是說石墨烯被活化了？ Ni-gcd-1A/g.png 石墨烯-gcd-1A/g.png IMG_20170216_183428.jpg IMG_20170216_183619.jpg |
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25樓2017-02-26 09:16:43
aasahr
木蟲 (著名寫手)
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2樓2017-02-23 16:39:50
strugglejsp
木蟲 (正式寫手)
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3樓2017-02-23 16:41:47
4樓2017-02-23 16:52:55
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