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盛夏的記憶新蟲(chóng) (初入文壇)
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[求助]
ZnO建模 關(guān)于真空層問(wèn)題新手請(qǐng)教 已有2人參與
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需要建立如下圖所示納米線(xiàn)模型,即Zn48O48要計(jì)算態(tài)密度和能帶結(jié)構(gòu),按照文獻(xiàn)是先建立7×7×2超胞,刪掉多余原子,再設(shè)置另外兩個(gè)方向上的10埃的真空層,我的問(wèn)題是,若先建立超胞,刪掉多余原子之后,得到初始模型,但這時(shí)打開(kāi)build,crystal,build vaccum slab這個(gè)選項(xiàng)就變灰色不可用了,不能建真空層,到底怎么回事呢?若是建立這種結(jié)果具體步驟該怎樣呢,謝謝!剛?cè)腴T(mén)實(shí)在不懂,還望各位多多指教! 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |
MS第一性原理 | 模擬知識(shí)匯總 |
新蟲(chóng) (初入文壇)
送紅花一朵 |
我按照你所說(shuō)的先導(dǎo)入ZnO結(jié)構(gòu),直接建了7×7×2的超胞,然后刪掉周?chē)嗟脑,如下圖,晶格參數(shù)應(yīng)該設(shè)置多少呢在哪可以查到? a,b代表的是這個(gè)框的長(zhǎng)度吧?文獻(xiàn)中有這樣一句話(huà):the supercell contained a vaccum region of 12埃 perpendicular to the nanowire axis. 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |
金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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用GaN模型試了一下(GaN和ZnO空間對(duì)稱(chēng)性一樣) 首先:build,crystal,build vaccum slab這個(gè)操作只能對(duì)surface slab做,也就是你做這步之前必須要先把某個(gè)bulk material切割成某個(gè)方向的表面,然后在這個(gè)表面的法線(xiàn)方向加一定厚度的真空。所以如果你想這么做,正確的方法是: (1) 先建立超胞,刪掉多余原子之后,得到初始模型 (2) 切割(0 1 -1 0)方向表面,在這個(gè)表面加上真空 (3) 切割(1 0 -1 0)方向表面,在這個(gè)表面加上真空 不過(guò)這個(gè)辦法比較復(fù)雜,我嘗試了下,可以用下面方法,簡(jiǎn)便有效: (1)先建立超胞,刪掉多余原子之后,得到初始模型 (2)直接修改晶格常數(shù):build,crystal, rebuild crystal, lattice parameters中把a(bǔ)b晶格常數(shù)修改就行。 倆方法得到的結(jié)構(gòu)應(yīng)該是一樣的。 注意: 修改晶格常數(shù),如果直接是右鍵,lattice parameters,修改ab,那么材料的空間坐標(biāo)會(huì)等比例變化(也就是整體會(huì)被拉伸) build,crystal, rebuild crystal, lattice parameters中把a(bǔ)b晶格常數(shù)修改,是材料不變,只改了晶格常數(shù),等價(jià)于加真空 |

新蟲(chóng) (初入文壇)
金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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白天我在用GaN實(shí)踐的時(shí)候,MS顯示跟你發(fā)出來(lái)的截圖是一樣的。 晶格參數(shù)應(yīng)該設(shè)置多少呢在哪可以查到? a,b代表的是這個(gè)框的長(zhǎng)度吧?文獻(xiàn)中有這樣一句話(huà):the supercell contained a vaccum region of 12埃 perpendicular to the nanowire axis. 你第一個(gè)圖中的22.7A就是你的7x7x2的超胞的晶格常數(shù),也就是你說(shuō)的這個(gè)框的長(zhǎng)度。 我覺(jué)得你直接改成32.7A就可以了,因?yàn)檎婵罩灰銐蚝窬涂梢裕ó?dāng)然,太厚會(huì)增加計(jì)算量)你從7x7x2中刪除很多原子后,刪除的部位其實(shí)就已經(jīng)是真空了,所以如果你把22.7改成32.7,相當(dāng)于有了一定真空(刪除原子產(chǎn)生的)+10A真空,肯定就已經(jīng)足夠了 |

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