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[交流]
簡并半導體遷移率和電導率隨溫度增加而降低。為什么？
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| 在論文中看到霍爾遷移率和電導率隨溫度增加而降低，那么就是簡并半導體，想問這是怎么判斷呢，對于其他半導體，或金屬來說，他們之間又有怎樣的依賴關(guān)系呢？ |
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蛋蛋小童鞋(金幣+1): 謝謝參與
蛋蛋小童鞋(金幣+1): 謝謝參與
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對于簡并半導體，特別是強簡并半導體，其載流子濃度很高，即多子的濃度遠遠大于少子的濃度，隨著溫度的升高，少子的數(shù)量在慢慢增加，在一定溫區(qū)內(nèi)，少子的數(shù)量相對于多子是可以忽略的，但是溫度增加晶格振動加劇，載流子遭遇的散射增強，遷移率下降，則表現(xiàn)出電阻率隨著溫度上升，遷移率下降。對于聲學波散射占主導的散射（德拜溫度以上，本征激發(fā)溫度以下，電導率和溫度之間滿足-1.5指數(shù)關(guān)系）。簡并半導體載流子濃度遵從費米狄拉克分布。 如果是非簡并半導體，電子和空穴的數(shù)量隨著溫度的增加而增加，即載流子濃度會增大，所以電阻率會下降，表現(xiàn)出本征半導體的性質(zhì)。非簡并半導體的載流子濃度遵從波爾茲曼分布。 至于遷移率的問題，如果溫度很低且離化雜志散射占主導，隨著溫度的增加遷移率會增大，如果是聲學波散射占主導，溫度增加遷移率會下降。還有一些其他的散射機制，不過熱電領(lǐng)域討論得不多。 |
4樓2016-03-17 05:50:38
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謝謝你。把你的回答看了很多遍，不過我又有問題了，之前學習半導體理解簡并半導體和非簡并半導體就是認為導帶被電子占據(jù)的數(shù)目多，空穴也類似，或者說費米能級進入導帶或者價帶，這種情況下玻爾茲曼函數(shù)不適用，但是你一說我覺得對于他們的區(qū)別更啊了解了，是不是就是你說的服從分布函數(shù)不一樣，還有簡并半導體中多子和少子差別比較大，除此之外還有嗎？。。。還有那個德拜溫度，定義德才拜溫度的作用是什么呢？你在這里提到了，所以順便問問。嘿嘿 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
5樓2016-03-17 11:02:28
簡單回復
北冰洋的夜晚2樓
2016-03-16 23:35
回復
蛋蛋小童鞋(金幣+1): 謝謝參與
頂 發(fā)自小木蟲IOS客戶端
2016-03-17 12:36
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