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[求助]
ZnO建模 關(guān)于真空層問題新手請教 已有2人參與
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需要建立如下圖所示納米線模型,即Zn48O48要計算態(tài)密度和能帶結(jié)構(gòu),按照文獻(xiàn)是先建立7×7×2超胞,刪掉多余原子,再設(shè)置另外兩個方向上的10埃的真空層,我的問題是,若先建立超胞,刪掉多余原子之后,得到初始模型,但這時打開build,crystal,build vaccum slab這個選項就變灰色不可用了,不能建真空層,到底怎么回事呢?若是建立這種結(jié)果具體步驟該怎樣呢,謝謝!剛?cè)腴T實在不懂,還望各位多多指教! 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
MS第一性原理 | 模擬知識匯總 |
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再次請教,關(guān)于懸掛鍵加氫飽和是怎么加呢?手動一個個加么,你知道下圖的態(tài)密度是怎么計算出來的嗎? 好像平?吹降腄OS和PDOS圖都只有上半部分呢 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
金蟲 (正式寫手)
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用GaN模型試了一下(GaN和ZnO空間對稱性一樣) 首先:build,crystal,build vaccum slab這個操作只能對surface slab做,也就是你做這步之前必須要先把某個bulk material切割成某個方向的表面,然后在這個表面的法線方向加一定厚度的真空。所以如果你想這么做,正確的方法是: (1) 先建立超胞,刪掉多余原子之后,得到初始模型 (2) 切割(0 1 -1 0)方向表面,在這個表面加上真空 (3) 切割(1 0 -1 0)方向表面,在這個表面加上真空 不過這個辦法比較復(fù)雜,我嘗試了下,可以用下面方法,簡便有效: (1)先建立超胞,刪掉多余原子之后,得到初始模型 (2)直接修改晶格常數(shù):build,crystal, rebuild crystal, lattice parameters中把a(bǔ)b晶格常數(shù)修改就行。 倆方法得到的結(jié)構(gòu)應(yīng)該是一樣的。 注意: 修改晶格常數(shù),如果直接是右鍵,lattice parameters,修改ab,那么材料的空間坐標(biāo)會等比例變化(也就是整體會被拉伸) build,crystal, rebuild crystal, lattice parameters中把a(bǔ)b晶格常數(shù)修改,是材料不變,只改了晶格常數(shù),等價于加真空 |

送紅花一朵 |
我按照你所說的先導(dǎo)入ZnO結(jié)構(gòu),直接建了7×7×2的超胞,然后刪掉周圍多的原子,如下圖,晶格參數(shù)應(yīng)該設(shè)置多少呢在哪可以查到? a,b代表的是這個框的長度吧?文獻(xiàn)中有這樣一句話:the supercell contained a vaccum region of 12埃 perpendicular to the nanowire axis. 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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