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YyxCynt鐵蟲 (正式寫手)
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[調(diào)劑信息]
南方科技大學(xué)-電子系:招收半導(dǎo)體器件方向2023年調(diào)劑碩士研究生
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| 學(xué)校: | 南方科技大學(xué) |
| 專業(yè): | 工學(xué)->電子科學(xué)與技術(shù)->微電子學(xué)與固體電子學(xué) |
| 年級(jí): | 2023 |
| 招生人數(shù): | 4 |
| 招生狀態(tài): | 正在招生中 |
| 聯(lián)系方式: | ********* (為保護(hù)個(gè)人隱私,聯(lián)系方式僅限APP查看) |
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課題組負(fù)責(zé)人簡(jiǎn)介: 化夢(mèng)媛,南方科技大學(xué)助理教授,副研究員,博士生導(dǎo)師。清華大學(xué)物理學(xué)學(xué)士(2009-2013),香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程學(xué)博士(2013-2017)及博士后(2017-2018)。課題組主要研究方向?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體(gan, ga2o3)材料與器件,包括器件工藝與制備、材料表征、器件物理分析、可靠性研究、電路集成及應(yīng)用等。課題負(fù)責(zé)人在國際高水平期刊與會(huì)議上共發(fā)表85篇論文,包括器件領(lǐng)域頂級(jí)會(huì)議ieee int. electron devices meeting(iedm)7篇,電力電子領(lǐng)域頂級(jí)會(huì)議int. symp. on power semiconductor devices and ics(ispsd)11篇,國際高水平期刊ieee electron device lett. 15篇,ieee trans. electron devices 7篇,appl. phys. lett. 6篇,acs applied materials & interface 1篇,nano energy 1篇,acs journal of physical chemistry letters 1篇。于2017年獲ieee ispsd最佳青年學(xué)者獎(jiǎng)(年度唯一獲獎(jiǎng)人)。課題負(fù)責(zé)人主頁https://eee.sustc.edu.cn/?view=%e ... %9b&jsid=18 本課題組現(xiàn)招收2023級(jí)專業(yè)碩士、學(xué)術(shù)碩士及愛協(xié)生企業(yè)聯(lián)培專碩。提供具有國際競(jìng)爭(zhēng)力的獎(jiǎng)學(xué)金,詳情請(qǐng)見:https://gs.sustech.edu.cn/shuoshi2020/1735。 如可早于2023年9月加入課題組,提供科研助理職位,提供有競(jìng)爭(zhēng)力的補(bǔ)助待遇。 申請(qǐng)人需符合以下條件: 1. 國內(nèi)知名高校理工背景本科學(xué)歷或即將本科畢業(yè),物理、微電子相關(guān)專業(yè)優(yōu)先考慮 2. 本科GPA不低于3.2(滿分4),考研分?jǐn)?shù)不低于320分;(如有SCI論文發(fā)表,可不受該條件限制) 3. 對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體(GaN,Ga2O3)的研究有興趣,熱衷科學(xué)研究、恪守學(xué)術(shù)道德準(zhǔn)則,為人認(rèn)真負(fù)責(zé),有獨(dú)立思考能力 4. 具有優(yōu)秀的學(xué)習(xí)能力,英文文獻(xiàn)閱讀能力, 英文論文寫作能力 5. 具備較好的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、較強(qiáng)的動(dòng)手能力; 符合以下一項(xiàng)或幾項(xiàng)條件者將予以優(yōu)先考慮: (1) 熟悉Si和GaN半導(dǎo)體材料與器件方面的工作; (2) 有第一性原理仿真經(jīng)驗(yàn); (3) 有半導(dǎo)體器件制備工藝經(jīng)驗(yàn); (4) 有器件物理仿真或者電學(xué)特性測(cè)試經(jīng)驗(yàn); (5) 在國際期刊上發(fā)表過論文、有意在課題組攻讀博士項(xiàng)目; 有意申請(qǐng)者請(qǐng)將統(tǒng)考成績(jī)和詳細(xì)簡(jiǎn)歷發(fā)送至以下郵箱:huamy@sustech.edu.cn,以“調(diào)劑申請(qǐng)+本科院校+GPA+報(bào)考院校+考研分?jǐn)?shù)”為標(biāo)題;如有其他證明個(gè)人能力的證書請(qǐng)一并發(fā)送。聯(lián)系人:化夢(mèng)媛 |
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