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關(guān)于XRD衍射峰強度與晶體取向生長的關(guān)系的理論依據(jù) 標(biāo)題長一點~~~~~~~~~~~~~~
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研究材料的同志們應(yīng)該都知道對于一個樣品(納米,微米級的粉末與同尺寸尺度下的薄膜樣品)中不同衍射峰與標(biāo)準(zhǔn)卡片的相對強度比較可以用來推測晶粒的擇優(yōu)取向方向,但是很久以來,自己心里一直有幾個疑問,想請各位大蝦們指教一下,謝謝哈! 1 什么是擇優(yōu)取向? 有沒有一個準(zhǔn)確定義呢,比如說,垂直于衍射峰所對應(yīng)的晶面方向的生長得到優(yōu)先生長,((001)對應(yīng)衍射峰強度相對升高,說明延[001]方向有取向生長)是這樣的定義嗎?有沒有理論依據(jù)呢? 2 若上述1中定義成立,那么某個衍射峰相對強度異常升高一定會得到擇優(yōu)取向的現(xiàn)象嗎? 從理論上來講,衍射峰強度升高,說明衍射儀再該衍射峰所在2theta角度,即掃描該角度對應(yīng)晶面間距時收到的信號變強,也就是該樣品在晶面間距發(fā)出的信號增多。 簡單說,就是樣品中可以測得的這個晶面變多了。 這里,我有個不太懂的地方,也就是晶面變多是不是有兩種可能的,一種可能是晶面的堆積,也就是垂直于晶面方向的取向生長會引起上述變化,也就是1中所提到的擇優(yōu)取向(前提是1中定義無誤),比如棒狀或者絲狀一維生長的結(jié)構(gòu);二種則是在平行于該晶面方向有著優(yōu)勢生長,比如盤狀,片狀二維生長結(jié)構(gòu)。 敢問各位大蝦這兩種情況是不是都可以引起衍射峰強度升高的? 實驗室里大家對這個概念往往都是普遍認(rèn)同前一種,也是論壇里經(jīng)常說到的情況,但是我自己一直不能完全接受,但是又不愿意與老板討論,所以到這里問問大家,請問有沒有準(zhǔn)確的解釋的? |
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