電阻，方塊電阻，以及電導
小弟做的是透明導電薄膜，有兩點很搞不清楚的是：
（1）同一塊膜上，測出來的電阻跟方塊電阻為什么差別很大呢（用的是同一個四探針儀器測的，測的都是正方形的膜），這個方塊電阻跟電阻有什么區(qū)別呢？？？？？
（2）電導率跟電阻率是倒數(shù)關(guān)系，但發(fā)現(xiàn)文獻上寫的，像導電高分子導電透明膜之類的電導率，最好的也就10S/cm,如果以膜的厚度為1um來算的話，那方塊電阻就要1000歐姆，當然這肯定是錯誤的，但小弟一直搞不清楚是怎么回事，請高手來解釋下。
謝謝��！
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[ Last edited by 小小文盲 on 2007-8-19 at 11:04 ]
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京公網(wǎng)安備 11010802022153號
因為個人覺得，如果只是接觸電阻的問題的話，電阻跟方塊電阻不應該相差那么大的啊
[ Last edited by 小小文盲 on 2007-8-17 at 15:38 ]
材料性質(zhì)決定電子輸運性質(zhì)，小尺寸，存在量子輸運現(xiàn)象，隧穿效應，單模，多模，通道，相干等等. ，你做的薄膜均勻不，是否屬于納米，量子器件？我不是搞實驗的，所以提點建議，多點思路，早期的量子環(huán)_觀測AB效應－寬度就是1um左右。電導率跟電阻率是倒數(shù)關(guān)系，好像是經(jīng)典的，能不能普遍適用，
謝謝答復啊，
其實我主要的還是想知道那個電阻跟方塊電阻有什么樣的區(qū)別，除了消除接觸電阻的影響外。因為對于做薄膜的來說，這是最基本的概念了吧。
電阻跟方塊電阻有什么樣的區(qū)別?
RE: 通常說的電阻與方塊電阻之間的關(guān)系是：通常說的電阻=方塊電阻/膜厚。
如果一個均勻?qū)w，長為L，寬為W，厚度為d，則薄層電阻（即方塊電阻）R＝（p/d）×L/W，p代表電阻率。比例系數(shù)（p/d）就叫方塊電阻，用R口表示。即R口＝p/d， R＝R口×（L/W）。當L＝W時，有R＝R口， 此時R口表示一個正方形薄層的電阻，與邊長無關(guān)，故取名薄層電阻。
修正一下，上面的最后是：“故取名方塊電阻”
這些定義，我都知道，但我就是不清楚為什么測出來的方塊電阻數(shù)據(jù)會相差這么大
[ Last edited by 小小文盲 on 2007-8-19 at 11:05 ]