[求助]HRTEM與TEM制樣有何區(qū)別?
請(qǐng)教各位高手:HRTEM與TEM制樣有何區(qū)別?我的樣品是碳化硼陶瓷,很脆。
我以前做過(guò)幾個(gè)TEM,現(xiàn)在想做HRTEM,不知它們制樣有何區(qū)別?做過(guò)TEM實(shí)驗(yàn)的樣品還可以繼續(xù)做HRTEM嗎?
一直聯(lián)系不到做HRTEM的合適的地方,剛好一師兄要出國(guó),托他帶過(guò)去做,(那邊是醫(yī)學(xué)用的高分辨透鏡,3000伏安的)。師兄搞的課題不是材料方面的,除了物質(zhì)的基本參數(shù)和TEM圖片外,不知我還要準(zhǔn)備那些相關(guān)的資料等?
謝謝各位了!
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京公網(wǎng)安備 11010802022153號(hào)
HRTEM-h(huán)igh resolution TEM, 高分辨透射電子顯微鏡
以我做實(shí)驗(yàn)的經(jīng)驗(yàn),兩者的原理是同樣的。
HRTEM精度更高,它的電壓20 KV,30KV,遠(yuǎn)高于低倍TEM。同樣,作HRTEM的時(shí)候,對(duì)樣品的制備要求也高,一般要求在TEM下掃描樣品后,才可以作HRTEM的,因?yàn)榕卤砻娴挠袡C(jī)物污染到儀器的一些精密元件。
呵呵 說(shuō)白了,幾乎是一樣的,就像一個(gè)是低倍照相機(jī),一個(gè)是高倍照相機(jī)
不過(guò)要注意區(qū)別
一般可以
正如2樓的兄弟所說(shuō),我想補(bǔ)充的是你的樣品得有做高倍透鏡的意義,最好是晶態(tài)的
HRTEM最好用微柵
普通碳膜的銅網(wǎng),做高分辨不是特別好,碳顆粒常常會(huì)影響
防止碳顆粒造成影響,用微柵最好
另外HRTEM的電壓可不是20kv和30kv,一般來(lái)說(shuō)都在200kv呵呵,20kv,30kv那是掃描電子顯微鏡,透射一般的最低還在80kv以上
HRTEM制樣的要求就是:不要太厚,所以樣品濃度滴的時(shí)候一定要稀釋,不然可不好透過(guò)去,也不一定要求你的樣品是結(jié)晶的,通常都是做晶格像,用高分辨,只要你的樣品結(jié)構(gòu)比較細(xì)微,都可以做,沒(méi)啥不可以,無(wú)定形也可以
二者原理基本相同
HRTEM就是高分辨透射電鏡,是分辨率較高的電鏡,但一般文章里面指的HRTEM,說(shuō)得不是電鏡如何,而是電鏡照片給出的分辨最小細(xì)節(jié)小于1nm。
至于制樣上的差別,沒(méi)有多少區(qū)別,透射電鏡都是要求樣品要薄,最好在100nm以下。
High Resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM) is an imaging mode of the transmission electron microscope (TEM) that allows the imaging of the crystallographic structure of a sample at an atomic scale. Because of its high resolution, it is an invaluable tool to study nanoscale properties of crystalline material such as semiconductors and metals. At present, the highest resolution realised is 0.8 Å with microscopes such as the OAM at NCEM. Ongoing research and development such as efforts in the framework of TEAM will soon push the resolution of HRTEM to 0.5 Å. At these small scales, individual atoms and crystalline defects can be imaged.
One of the difficulties with HRTEM is that image formation relies on phase-contrast. In phase-contrast imaging, contrast is not intuitively interpretable as the image is influenced by strong aberrations of the imaging lenses in the microscope,
也就是說(shuō)at an atomic scale看單個(gè)原子或者晶體缺陷.