關(guān)于極性面鈍化添加贗氫問(wèn)題!
記不清楚在那個(gè)話題里面見(jiàn)到有人問(wèn)如何添加贗氫原子來(lái)飽和極性面或者消除內(nèi)偶極矩。當(dāng)時(shí)斑竹表示出很大的興趣,讓提供一些這方面文獻(xiàn)資源。很遺憾,當(dāng)時(shí)沒(méi)有高手出現(xiàn)解答這個(gè)問(wèn)題,雖然我不是什么高手,但是這個(gè)問(wèn)題我有些心得。當(dāng)時(shí)由于剛做父親(我們家閨女今天5個(gè)月零12天),再加上我的CASTEP計(jì)算出點(diǎn)問(wèn)題,一直沒(méi)有好好摸索這個(gè)問(wèn)題。
今天有空,就當(dāng)作送給大伙的新年禮物!
在二六族、三五族纖鋅礦結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體中,由于沿c軸方向缺少鏡面對(duì)稱,也就是說(shuō)在c軸方向上是一層A原子一層B原子堆積而成,這些正負(fù)電荷的累積導(dǎo)致沿c軸方向出現(xiàn)一個(gè)偶極矩。詳見(jiàn)PHYSICAL REVIEW B 67, 035403 (2003)Density-functional study of the structure and stability of ZnO surfaces。塊體裁成表面時(shí)候會(huì)出現(xiàn)多種情況(例如電荷轉(zhuǎn)移、表面原子再構(gòu)、吸附雜質(zhì)原子等)消除偶極矩。
于是在第一原理模擬這些極性表面時(shí)候要考慮如何消除這個(gè)偶極矩,使用第一原理程序包最好最直觀的辦法就是添加贗氫。
VASP里直接提供了很多贗氫如H0.5,H0.75,H0.25,H1.25,等。也就是說(shuō)這些氫原子是為了某種目的而人為制造的,它的電荷不再是1,而分別為0.5,0.25,0.75,1.25等。
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未完待續(xù),老婆叫我提熱水兼洗尿布!回頭更新!
問(wèn)一下LZ, castep如何加分?jǐn)?shù)贗氫原子?
我想看表面重構(gòu),加真空層, 底表面最下一層必須鈍化嗎?
謝謝LZ
回復(fù)樓上,并繼續(xù)!
目前我見(jiàn)到的有關(guān)贗氫鈍化的計(jì)算,都是在極性表面上的。如果是模擬極性表面,我覺(jué)得需要鈍化!
以ZnO為例, Import ZnO,然后 Build----Cleave Surface, cleave plane 填寫(xiě)0 0 1, Top 為0,Depth 3.0,即總共為六個(gè)雙層。
繼續(xù)點(diǎn)擊Build---Crystals---Build Vacuum Slab,輸入真空層厚度,大約為1.0nm。確定即可。
待Supercell構(gòu)建成功后,點(diǎn)擊Add atoms, Element 選擇H,Oxidation state選擇吸附原子,輸入想放置原子的具體位置。然后點(diǎn)中添加的原子,修改Property中的FormalCharge。
贗氫在VASP中的解釋就是artificial-atom即人造原子,也就是為了某種需要而認(rèn)為假設(shè)出來(lái)的原子,只不過(guò)它的電荷數(shù)很接近于H,就如同對(duì)H原子作了一個(gè)簡(jiǎn)單修改而成,所以叫贗氫!
歡迎討論阿!
[ Last edited by amynliou on 2009-1-3 at 11:13 ],
在添加VAccum構(gòu)建Supercell的時(shí)候,我們也可以直接Cleave face 選項(xiàng)框里最底下一欄的 Cap bands on ()faces with (),兩個(gè)括號(hào)是待選項(xiàng),第一個(gè)可以選擇Neither,Both, Bottom, Top;第二個(gè)可以選擇覆蓋表面用的元素。
但是這里添加的H的 Formal Charge都是,雙擊,把它們修改為需要的分?jǐn)?shù)電荷!
[ Last edited by amynliou on 2009-1-3 at 11:09 ]