【求助】p型微晶硅薄膜和n型微晶硅薄膜的光學(xué)帶隙和禁帶寬度的差別
我向各位大俠們請教一個半導(dǎo)體方面的問題:對p型和n型微晶硅來說它們的禁帶寬度相差大不?到底是誰大些?比如我們認(rèn)為非摻雜的微晶硅的禁帶寬度為1.12ev,那么是p型還是n型的大于1.12ev?還有就是遷移率帶隙和禁帶寬度是不是一個概念?數(shù)值大小是不是相等?如果用以電池的話,n型的微晶硅的光學(xué)帶隙是大點好還是小的好?
謝謝大家提出寶貴意見
[ Last edited by lixinli on 2009-12-24 at 21:38 ]
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京公網(wǎng)安備 11010802022153號
P型在價帶里存在空穴，相當(dāng)于價帶頂下降，禁帶寬度拉寬，所以P型禁帶寬度大，n型小。
遷移率帶隙的概念我還是第一次聽說，悉聽大家分解！
從電池結(jié)構(gòu)設(shè)計的角度講，PIN三層需要提高太陽光的利用率，我的看法是n型的光學(xué)帶隙要盡量小，以充分利用長波光。是否正確還請大家指教！
摻雜只會改變費米能級的位置，如果是少量摻雜，帶隙不怎么改變吧。如果重?fù)诫s發(fā)生載流子簡并，得考慮帶尾態(tài)和moss-burstein移動的影響。
P或者N型摻雜是費米能級移動，不是價帶頂移動，這個是基本的半導(dǎo)體概念，不要誤導(dǎo)別人。
P和N的微晶硅材料的光學(xué)帶隙應(yīng)該一樣，沒有碳摻雜情況下。
遷移率帶隙就需要看各自材料的缺陷態(tài)的高低了。
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謝謝指教！不好意思！