并求（硅單晶拋光片的加工技術），另有金幣加贈。

單晶硅晶片及單晶硅的制造方法
本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法(CZ法)生長單晶硅晶片，其特征為：對全部晶片進行熱氧化處理時，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過Cu淀積所檢測出的缺陷區(qū)域。由此，可以利用確實能提高氧化膜耐壓等電氣特性的CZ法，在穩(wěn)定的制造條件下，制造既不屬于富含空孔的V區(qū)域、OSF區(qū)域，也不屬于富含晶格間隙硅的I區(qū)域的硅單晶晶片。
絕緣體上的單晶硅(SOI)材料的制造方法
本發(fā)明公開了一種采用SIMOX技術制造SOI材料的方法。通過在傳統(tǒng)的注氧隔離制造工藝中引入離子注入非晶化處理，使得非晶化區(qū)域內(nèi)的各種原子在退火時產(chǎn)生很強的增強擴散效應，從而制造出頂部硅層中的穿通位錯等晶體缺陷和二氧化硅埋層中的硅島和針孔等硅分凝產(chǎn)物得以消除的高品質(zhì)的SOI材料。本發(fā)明還公開了一種將離子注入非晶化處理應用到采用注氮隔離或注入氮氧隔離技術中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋層或者氮氧化硅埋層是非晶層，頂部硅層是和氮化硅埋層或者氮氧化硅埋層的界面具有原子級陡峭的單晶硅層。
分離單晶硅堝底料中石英的工藝
本發(fā)明屬于半導體分離技術領域，特別是涉及一種分離單晶硅堝底料中石英的工藝，包括下列步驟：a.將堝底料破碎，得到顆粒狀的堝底料；b.用Si3N4涂料刷抹坩堝底部和內(nèi)壁，讓其自然干燥；c.把顆粒狀堝底料放置在坩堝內(nèi)；d.裝有顆粒狀堝底料的坩堝放入中頻感應電爐，開啟電源使爐內(nèi)溫度升高至熔點溫度后100℃左右，保溫10-30分鐘，則顆粒狀堝底料在坩堝內(nèi)重熔；e.在加熱達到規(guī)定時間后，關掉電源，待自然冷卻后，可得到已分離的硅與石英；本發(fā)明提供的分離單晶硅堝底料中石英的工藝方法，通過將混含有石英的堝底料放置在中頻爐中高溫加熱熔融，利用硅的熔點低于石英熔點的特性，能夠方便地將石英顆粒與硅液分離開，因此，本發(fā)明具有工藝簡單、生產(chǎn)安全、能耗低、分離效果好等優(yōu)點。
單晶硅襯底上可動微機械結(jié)構單片集成的制作方法
本發(fā)明公開了一種單晶硅襯底上可動微機械結(jié)構單片集成的制作方法，它涉及微電子機械工藝加工技術領域中的微電子機械系統(tǒng)結(jié)構器件的制造。它采用濃硼擴散、光刻、深反應離子刻蝕和選擇性濕法腐蝕技術工藝，實現(xiàn)可動懸空與固定微結(jié)構都制作在同一單晶硅片上，達到可動微機械單片集成制作目的。本發(fā)明具有制造成本低廉，操作制造簡易，能單片集成和大規(guī)模集成等優(yōu)點，適合于光開關、諧振器、加速度計等多種具有可動微結(jié)構器件的制作。
直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片及其制造方法
本發(fā)明涉及直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片，從表面到3微米以上的深度存在無COP的無缺陷層；及一種單晶硅的制造方法，通過CZ法摻雜氮拉制直徑300mm及300mm以上的單晶硅時，將拉晶速度設為V[mm/min]，以G[K/mm]表示從硅的熔點至1400℃間的拉晶軸向的結(jié)晶內(nèi)溫度梯度平均值，將V/G[mm2/K•min]的值設為低于0.17以生長結(jié)晶；及一種單晶硅晶片的制造方法，對摻雜氮的直徑300mm及300mm以上的硅單晶硅晶片進行熱處理，在惰性氣體或氫或它們的混合氣體的環(huán)境下，進行1230℃以上、1小時以上的熱處理。由此，確立單晶硅拉晶條件及晶片的熱處理條件，用于拉制直徑300mm及300mm以上的單晶硅并加工成晶片，并對晶片進行熱處理，獲得在表層的相當深度具有無COP的無缺陷層的單晶硅晶片。
抑制長的大直徑單晶硅生長條紋的直拉生長裝置
在一種丘克拉斯基單晶硅生長裝置中，其在生長爐（１）中通過提線（７）上拉晶種（Ｚ）來生長硅單晶（Ｙ），一個磁環(huán)（１２）被安裝在硅單晶上，一個電磁體（８）被固定于生長爐上以便上拉磁環(huán)。
制備單晶硅片表面完整層的新途徑
本發(fā)明屬于集成電路用半導體材料的制備技術.發(fā)明人利用中子輻照氫氣氛下區(qū)熔單晶硅.經(jīng)切、磨、拋后,硅片實行兩次熱處理的方法,獲得單晶硅片由于體內(nèi)氫沉淀造成的表面完整層,為集成電路用硅材料提供了新的可能途徑.
非線性磁場中單晶硅拉制方法及其裝置
一種在磁場中拉制單晶的方法和單晶爐,該單晶爐的螺旋管分成內(nèi)徑大小不同的兩組,螺旋管的銜鐵做成爐壁的形狀,同時作為整個爐體的爐壁,并與爐體的上下端蓋和磁環(huán)形成全封閉結(jié)構,螺旋管由升降器支撐,可以相對坩堝做上下運動,拉晶時,坩堝位于由螺旋管所產(chǎn)生磁場的上端或下端具有喇叭形狀的非線性區(qū)域,以獲得對熔硅熱對流的盡可能大的抑制效果,全封閉結(jié)構的爐壁兼作銜鐵,使得用較小的直流功率源獲得較大的磁場強度成為可能.
摻金、摻鉑單晶硅互換熱敏電阻及其制作方法
本發(fā)明提供一種摻金、摻鉑單晶硅互換熱敏電阻及其制作方法，屬于溫度敏感器技術領域。它主要采用在Ｐ型單晶硅中摻入金、鉑兩種雜質(zhì)的方法，使電阻呈現(xiàn)負溫度特征，其Ｂ值為３８５０Ｋ，Ｂ值的偏差分布小于±０．３％，使用溫區(qū)為－５０℃～１００℃之間。由于該電阻元件的Ｂ值適中，互換性能好，又易制作，成本低廉，不失為一種用于配制具有線性輸出的線性組件的理想元件。并可廣泛適用于醫(yī)療儀器、食品工業(yè)、家用電器等行業(yè)的測溫、控溫等實用技術領域。

單晶硅的制造方法和設備
按照本發(fā)明，用一個隔板環(huán)將放有熔化原料的坩堝的內(nèi)部隔開，從而使被提拉的單晶被包圍并且使熔化原料可以流動，顆粒狀硅加到隔板環(huán)的外側(cè)，從而使外側(cè)的熔化液體成為一個顆粒狀硅的可溶區(qū)域，以保持隔板環(huán)內(nèi)側(cè)的熔化液面幾乎保持恒定，并且用一塊保溫板復蓋隔板環(huán)及其外側(cè)的熔化液面，使隔板環(huán)外側(cè)的熔化液體溫度至少比其內(nèi)部的溫度高出１０℃，或更高些。
一種單晶硅壓力傳感器制造方法及其結(jié)構
本發(fā)明涉及到單晶硅壓力傳感器的制造方法及其結(jié)構。本發(fā)明提供了一種單晶硅壓力傳感器單面加工的新方法和單晶硅絕對壓力傳感器的盒式結(jié)構。本發(fā)明具有制造工藝簡單、成品率高、成本低，與集成電路工藝兼容性好等優(yōu)點。$
單晶硅生產(chǎn)裝置
一種單晶硅生產(chǎn)裝置，包括一個置于石墨坩堝內(nèi)的石英坩堝、隔板和加熱器，隔板將石英坩堝中的熔融硅料分成兩部分，內(nèi)側(cè)是單晶硅生長部分，外側(cè)是材料熔化部分；加熱器用以使單晶硅生長部分中的熔融硅料保持在適于單晶硅生長的溫度下，并為熔化裝進材料熔化部分的原材料提供熱量；隔板上開有一些小孔。$隔板的材料為不透明的石英玻璃。$向材料熔化部分加入原材料而從單晶硅生長部分拉出單晶硅。$熔融硅料通過隔板小孔由材料熔化部分流入晶體生長部分。
制造單晶硅的設備
在本發(fā)明的單晶硅制造設備中，有一熱輻射屏在單晶生長區(qū)上方，以屏蔽和調(diào)節(jié)來自單晶生長區(qū)中熔融硅表面的熱輻射，而降低坩堝溫度從而降低單晶中的氧濃度以減少熔融硅中的氧量。該熱輻射屏包括一用金屬板覆蓋的耐火纖維材料，一多層金屬薄板組合件或一電阻加熱元件。此外，坩堝內(nèi)部還被一加工成許多小孔在隔離部件隔開，或一石英管沿該隔離件的圓周方向延伸安裝在其內(nèi)側(cè)，使熔融硅從物料熔化區(qū)流暢地流向單晶生長區(qū)并從而提供有效的措施。
單晶硅直徑測定法及其設備
本發(fā)明涉及一種測定單晶硅直徑的方法和設備。在用ＣＺ法提拉單晶的一規(guī)定轉(zhuǎn)動周期的間隔內(nèi)，用光學裝置對熔融環(huán)的亮度分布進行取樣，由此得出該提拉單晶的直徑測定值，再用低通濾波器處理該直徑測定值，以產(chǎn)生轉(zhuǎn)換成時序直徑數(shù)據(jù)的濾波器輸出值，然后求出濾波器輸出值的移動平均值，從而計算出直徑值。本發(fā)明涉及的設備包括能完成上述測定方法的光學裝置、一低通濾波器和計算裝置。
單晶硅直徑控制法及其設備
單晶硅直徑的一種控制方法，在單晶硅邊相對于坩堝轉(zhuǎn)動邊受提拉的單晶硅制造過程中，將光學裝置測出的提拉單晶的直徑測定值與要求直徑值進行比較，以確定偏差，再對得出的偏差進行不完全微分ＰＩＤ處理或史密斯法處理，以計算提拉速度，再將提拉速度加到晶體提拉設備的電動機控制器上，從而通過控制提拉速度控制提拉單晶的參數(shù)。為完成上述單晶硅直徑的一種控制方法的設備，包括輸入裝置、不完全微分ＰＩＤ計算裝置和輸出裝置。
單晶硅生產(chǎn)設備
一種單晶硅生產(chǎn)設備，用以按照坩堝旋轉(zhuǎn)的切克勞斯基法高速提拉大直徑單晶硅。該設計的特點在于，分隔件是坩堝式的，熔融硅表面上方分隔件的厚度不小于３毫米，且不大于熔融硅表面下方分隔件厚度的８０％，分隔件的底部部分緊固在坩堝底部部分上，且分隔件支撐在圓柱形石英件上。
單晶硅生產(chǎn)設備
一種按照坩堝不旋轉(zhuǎn)的切克勞斯基法高速提拉直徑大、組成穩(wěn)定的單晶硅的單晶硅生產(chǎn)設備。通過妥善維持單晶硅外周邊與分隔件內(nèi)側(cè)熔融硅自由表面的熱平衡，可以高速提拉大直徑單晶硅。必須滿足的條件如下：φ４＝１８－２４英寸，φ３／φ４＝０．７５－０．８４；φ２－φ１＝３０－５０毫米，α＝１５－２５度；及ｈ＝１０－３０毫米，其中φ１為單晶硅直徑，φ２為保溫蓋圓柱形側(cè)面部分下端處的孔徑，φ３為分隔件的直徑，φ４為坩堝直徑，ｈ為熔融硅表面至φ２部分的距離。
單晶硅生產(chǎn)設備
一種大直徑單晶硅生產(chǎn)設備，具有一旋轉(zhuǎn)式石英坩堝、一電阻式加熱器、一具有連通孔的石英分隔件、一保溫蓋等。$開在分隔件上的連通孔其橫截面的總面積Ａ，當原料進料速度在３０與５０克／分子之間時在８０與１００平方毫米之間，當原料進料速度在５０至８０克／分的范圍時不小于１３０平方毫米，但不大于１２００平方毫米，當原料進料速度在８０至１３０克／分的范圍時不小于２２０平方毫米，但不大于１６００平方毫米。
制造單晶硅的裝置
一種利用切克勞斯基單晶生長法的大直徑單晶制造裝置，在保溫罩上部設置適當?shù)拈_口，防止氣體介質(zhì)產(chǎn)生不良影響。開口總面積大于保溫罩下端和硅熔液液面之間形成間隙的面積，保溫罩和熱屏蔽件用金屬板構成。
單晶硅上大面積(100)取向的金剛石膜的生長方法
在單晶硅上大面積（１００）取向金剛石膜的生長方法，是將單晶硅襯底在金剛石粉中研磨產(chǎn)生劃痕，以Ｈ2、ＣＨ4、ＣＯ為反應氣體，采用微波制膜技術，控制系統(tǒng)壓力３０～４５ｔｏｒｒ范圍，嚴格控制襯底溫度在８７０～８９０℃范圍，并使襯底以０．２～１轉(zhuǎn)／分的轉(zhuǎn)速勻速轉(zhuǎn)動，可制備大面積均勻生長的（１００）取向的金剛石膜。本發(fā)明具有工藝簡單、設備少、對襯底的解理面要求寬松、生長速度快，生長面積大等特點，適于生產(chǎn)。
單晶硅錠及其制造方法
本發(fā)明涉及單晶硅錠及其制造方法。其底部側(cè)直胴部的特性與頂部側(cè)直胴部及中部側(cè)直胴部的特性相近似，高品位單晶硅的制品數(shù)率高，而且在直胴部整個長度上的品質(zhì)大致均勻。并可按同一形狀反復制造，在每批制品間，底部的形狀沒有偏差。這種效果是通過控制底部２２的直徑Ｄ2使得直胴部側(cè)底部２ａ的外表面相對于直胴部１的外表面連續(xù)具有１０—２５度的傾斜角θ而獲得。
提拉單晶硅的裝置
一種提拉硅單晶裝置，包括裝置主體，其中配置坩堝且坩堝包括石英坩堝部件和坩堝保護部件，環(huán)繞坩堝外部配置加熱元件，在加熱元件外部配置保溫筒，和在保溫筒和裝置主體之間配置隔熱材料，其中由碳質(zhì)材料制造的保溫筒和／或坩堝保護部件內(nèi)側(cè)至少上部區(qū)域用熱分解碳膜覆蓋。
直拉生長單晶硅期間實時監(jiān)測和控制氧的一氧化硅探針
一種接近實時定量化諸如直拉硅熔體的熔體硅池揮發(fā)的和熔體上方氣氛中存在的一氧化硅的數(shù)量的方法。優(yōu)選的方法包括將從硅熔體上方氣氛提取的含有一氧化硅的氣體試樣與反應劑反應生成可檢測的反應產(chǎn)物，測定所生成反應產(chǎn)物的量，和將所測定反應產(chǎn)物的量換算成氣氛中存在的一氧化硅量。一氧化硅的量化用于監(jiān)視和／或控制硅熔體的氧量或從硅熔體正在提拉的單晶硅中的氧含量。還公開了一種一氧化硅探針和使用該探針監(jiān)視和／或控制氧的一種系統(tǒng)。
雙電極單晶硅電容加速度傳感器及其制造方法
一種雙電極單晶硅電容加速度傳感器，包括一質(zhì)量塊，至少兩根彈性梁，若干細長片，由底部挖孔的硅外延層構成，支撐彈性梁的臺座，上部由硅外延層構成，下部由氧化層將其與襯底隔開，起電絕緣作用，細長片側(cè)面用來制作橫向可變電容器的活動電極，質(zhì)量塊和細長片的底面用來制作縱向可變電容器的活動電極，橫向可變電容器的固定電極由若干與襯底電絕緣但與襯底硬連接的細長片構成，縱向可變電容器的固定電極由襯底面構成。
通過控制拉速分布制造單晶硅錠和晶片的方法及其產(chǎn)品
一種硅錠按一拉晶速率分布下進行，其拉速要足夠高以限制間隙凝聚，且還要足夠低以便將空位凝聚限定在晶錠軸向上的富含空位區(qū)上。將晶錠切割成許多半純晶片，每個晶片在中央具有富含空位區(qū)，包括空位凝聚，和在富含空位區(qū)與晶片邊緣之間的純度區(qū)，無空位凝聚和間隙凝聚。按照本發(fā)明的另一方面，晶錠可按一拉晶速率分布拉制硅錠，其拉速要足夠高以便防止間隙凝聚，且還要足夠低以便防止空位凝聚。因此，當將該晶錠切割成晶片時，晶片為純硅晶片，可包含點缺陷，但無空位凝聚團的間隙凝聚團。
單晶硅－納米晶立方氮化硼薄膜類P－N結(jié)及其制作方法
本發(fā)明屬單晶硅－納米晶立方氮化硼薄膜的類Ｐ－Ｎ結(jié)及制作方法。單晶硅襯底加溫并加負偏壓，六角氮化硼作源加射頻功率，氬氣作工作氣體，在襯底上沉積c－ＢＮ薄膜，二者間形成類Ｐ－Ｎ結(jié)。再經(jīng)鍍鋁滲鋁形成歐姆接觸電極。本發(fā)明在形成機理、構成結(jié)的晶體形態(tài)及制作方法上都不同于傳統(tǒng)Ｐ－Ｎ結(jié)，但具有傳統(tǒng)Ｐ－Ｎ結(jié)的電學特性，電容值增大１０６倍，由于c－ＢＮ能隙大于６．４ev的寬禁帶，使類Ｐ－Ｎ結(jié)具有耐高溫、抗輻射、大功率運轉(zhuǎn)等優(yōu)良性能。
低濃度鈣雜質(zhì)的石墨支撐容器及其在制造單晶硅中的應用
拉制單晶硅的方法和所用的石墨支撐容器。拉制單晶硅時，堿土金屬和堿金屬特別是鈣的濃度嚴重影響石英容器的不均勻反玻璃化。用低濃度鈣的石墨支撐容器，在拉單晶硅時可以使盛裝熔硅的透明石英容器不發(fā)生嚴重的不均勻反玻璃化，甚至在將支撐容器加熱到較高溫度時也具有以上效果，所述鈣濃度最好按重量計不超過約１ｐｐｍ。減少透明石英容器的局部結(jié)晶度，可以減少喪失石英容器結(jié)構完整性的可能性，從而提高硅晶體的質(zhì)量，增加零位錯生長。
單晶硅片抗機械力的提高
本發(fā)明與單晶硅片的減薄方法相關，以便圓片最終厚度小于８０um。
生長富空位單晶硅的熱屏蔽組件和方法
在直接法拉晶機中采用熱屏蔽組件，用于有選擇地保護半導體材料的單晶錠料，以便控制錠料單晶結(jié)構中聚集的缺陷類型和數(shù)據(jù)密度。熱屏蔽組件具有一個上熱屏蔽，該上熱屏蔽連接到一個下熱屏蔽上。上熱屏蔽和下熱屏蔽相互連接，并滑動式連接到一個中間熱屏蔽上。下熱屏蔽能夠向上伸入中間熱屏蔽，以便使位于拉晶機單晶生長室內(nèi)部的熱屏蔽組件的外形減至最小。然而，當必須控制單晶錠料的形成時，下熱屏蔽可以從中間熱屏蔽延伸，并向下伸入拉晶機坩堝中，以便非常靠近坩堝中熔化的半導體原材料的上表面。還公開了應用熱屏蔽組件的方法。
用于單晶硅生長的非Dash縮頸法
制造單晶硅棒的非Dash縮頸法，該單晶硅棒按照直拉法拉晶。該方法其特征在于：在硅棒生長開始之前，讓一大直徑、無位錯的籽晶進行熱平衡，以避免形成由對單晶熱沖擊而產(chǎn)生的位錯。該方法其特征還在于：采用電阻加熱器來熔化籽晶的下面末端，以便在它接觸熔體之前，形成一熔化的帽體。該方法生產(chǎn)出一種單晶硅棒，此種單晶硅棒具有大直徑的短縮頸，該大直徑的短縮頸是無位錯的，并能在生長和隨后的處理期間，支承至少重約１００kg的硅棒。
形成單晶硅層的方法和制造半導體器件的方法
在其上形成臺階（４）的作為籽晶的絕緣襯底（１）上淀積單晶硅，形成硅外延層（７）。在低溫甚至在其有相對低應變點的大玻璃襯底上均勻生長硅外延層（７），使它可能在其上制造大電流密度的高速半導體元件。
熱退火后的低缺陷密度單晶硅
一種具有中心軸、通常垂直于中心軸的正面和反面、正面與反面之間的中心平面、外圍邊沿、以及從中心軸延伸到外圍邊沿的半徑的單晶硅晶片。此晶片包含第一和第二軸對稱區(qū)。第一軸對稱區(qū)從外圍邊沿向內(nèi)徑向延伸，含有硅自填隙作為占優(yōu)勢的本征點缺陷，且基本上無聚集的填隙缺陷。第二軸對稱區(qū)以空位為占優(yōu)勢的本征點缺陷，它包含從正面向中心平面延伸的表面層和從表面層向中心平面延伸的本體層，其中存在于表面層中的聚集空位缺陷的數(shù)量密度低于本體層中的濃度。
從低缺陷密度的單晶硅上制備硅－絕緣體結(jié)構
本發(fā)明涉及一種硅－絕緣體(SOI)結(jié)構，它有一層低缺陷密度器件層，還可以有一具有較好吸附雜質(zhì)能力的基底硅片。該器件層包含一中央軸，一圓周邊緣，一個從中央軸延至圓周邊緣的半徑，以及一個第一軸對稱區(qū)，其中基本沒有堆積本征點缺陷。另外本發(fā)明還針對這樣一種SOI結(jié)構，其有一片切氏單晶硅基底硅片，該基底硅片在經(jīng)受幾乎任意電子學器件制作過程都要采用的熱處理周期時，能夠形成一個理想的氧淀析物非均勻深度分布。
標定單晶硅晶圓晶向的方法
一種涉及微機械和微電子領域的用于標定單晶硅晶圓晶向的方法。通過一套精心設計的比對圖案和隨之而進行的預刻蝕加工，將晶圓的晶向清晰地暴露出來，通過觀察不同的比對圖案所形成的刻蝕結(jié)果，可以將晶圓的晶向標定誤差控制在±0.1°之內(nèi)，采用數(shù)字圖象處理技術對刻蝕結(jié)果作進一步的處理，則該標定精度還可以提高到±0.05°或者更高的水平。
制備具有均勻熱過程的單晶硅的方法
一種生產(chǎn)單晶硅錠的Czochralski法具有一均勻的熱過程。在該方法中，在晶錠的主體和尾錐生長的整個過程中使加到側(cè)面加熱器上的功率保持基本上恒定，而在主體的第二個一半和尾錐生長過程中逐漸增加加到底部加熱器上的功率。本方法能得到一種晶錠，使從該晶錠生產(chǎn)出的晶片具有較少超過約0.2微米的光點缺陷，同時具有改善的柵氧化層完整性。
單晶硅片襯底的磁控濺射鐵膜合成二硫化鐵的制備方法
本發(fā)明公開了一種單晶硅片襯底的磁控濺射鐵膜合成二硫化鐵的制備方法。采用位向分別為(100)及(111)的兩種單晶硅片為載膜襯底，通過磁控濺射沉積25～150nm厚度的純鐵膜，再將純鐵膜和在硫化溫度下能產(chǎn)生80kPa壓力所需質(zhì)量的升華硫粉封裝于石英管中，抽真空后密封置于加熱爐中以3℃/min的升溫速率加熱至400～500℃進行熱硫化反應10～20h，以2℃/min的速率降溫至室溫。本發(fā)明簡化了直接濺射二硫化鐵時通入硫蒸氣或硫化氫的復雜過程，所合成的二硫化鐵薄膜具有較標準的化學計量成分，不出現(xiàn)過渡相；薄膜與襯底之間具有較高的附著力，不易產(chǎn)生局部剝落；可以為關于襯底晶體結(jié)構和晶格參數(shù)對二硫化鐵晶體生長影響規(guī)律的研究提供實驗樣品，

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