發(fā)光依據(jù)激發(fā)源（光激發(fā)、陰極射線激發(fā)等）的不同可分為光致發(fā)光（PL）、陰極射線發(fā)光（CL）等等。
       熒光與磷光都是PL或CL的現(xiàn)象，兩者的區(qū)別在于：熒光壽命短，有激發(fā)源時會發(fā)光，激發(fā)源去除以后熒光就立即消失。相比之下，磷光則是有一定長度的延時（馳豫時間），激發(fā)源去除后，樣品還能持續(xù)發(fā)光一段時間。平時所見的夜光物質(zhì)就是磷光。

[ Last edited by qfw_68 on 2010-5-24 at 23:39 ]

發(fā)光依據(jù)激發(fā)源（光激發(fā)、陰極射線激發(fā)等）的不同可分為光致發(fā)光（PL）、陰極射線發(fā)光（CL）等等。
       熒光與磷光都是PL或CL的現(xiàn)象，兩者的區(qū)別在于：熒光壽命短，有激發(fā)源時會發(fā)光，激發(fā)源去除以后熒光就立即消失。相比之下，磷光則是有一定長度的延時（馳豫時間），激發(fā)源去除后，樣品還能持續(xù)發(fā)光一段時間。平時所見的夜光物質(zhì)就是磷光。

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針對你自己發(fā)光材料的不同，選擇不同的發(fā)光選項。
如果你的方向側(cè)重?zé)晒�，就測熒光，把化合物配成稀溶液，測量即可�？梢詼y量熒光和發(fā)光光譜。一般化合物測量不到磷光。
如果你的方向側(cè)重磷光，就測磷光，把化合物配成特定溶液的稀溶液，在低溫下測量即可，可以測量低溫?zé)晒猓�低溫磷光和發(fā)光光譜。也有測常溫磷光的，但是可信度不高。
注1：發(fā)光光譜是熒光和磷光的總稱，因為有時候你對熒光和磷光沒有特別要求，不需要區(qū)分光譜中兩者的成分，所以直接測量發(fā)光光譜即可。
注2：熒光多在常溫下測，對溶劑要求不高；磷光躲在低溫下測，對溶劑要求較高。我自己選擇的是2-甲基四氫呋喃作為低溫磷光溶劑。
注3：以上方法僅針對有機材料，不敢保證對無機材料也同樣適用。

熒光和磷光均為分子發(fā)射光譜，是光致發(fā)光�；瘜W(xué)發(fā)光是化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的能量使反應(yīng)物或產(chǎn)物發(fā)光。熒光準確的說，是分子第一單重激發(fā)態(tài)（S1）的最低振動能級到基態(tài)（S0）的不同振動能級的輻射躍遷。磷光是分子第一三重激發(fā)態(tài)（T1）的最低振動能級到基態(tài)（S0）的不同振動能級的輻射躍遷。一般，磷光的波長比熒光的波長長。因為T1的能量低于S1的能量。
化學(xué)發(fā)光是相對生物發(fā)光而言，是指輻射的來源，跟其他兩個不是一個層面上的概念。
熒光是指電子從單線態(tài)第一激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時釋放的光
磷光是指電子從三線態(tài)第一激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)釋放的光。

1 光致發(fā)光
光致發(fā)光的激發(fā)過程為單光子或多光子吸收過程，它包括光吸收、能量傳遞、光發(fā)射等過程，這些過程與材料結(jié)構(gòu)、成分及環(huán)境原子排列有關(guān)，光致發(fā)光技術(shù)是研究固體中電子過程的重要手段。一般情況下，光致發(fā)光光子的能量小于激發(fā)光子的能量（斯托克斯位移），在特定條件下發(fā)射光子的能量可以超過激發(fā)光子的能量（反斯托克斯位移）。日光燈是利用汞蒸氣放電產(chǎn)生的紫外光激發(fā)涂覆在燈管壁上的發(fā)光物質(zhì)而發(fā)出可見光的。
2 電致發(fā)光
1920年德國學(xué)者古登和波爾發(fā)現(xiàn)，某些物質(zhì)加上電壓后會發(fā)光，人們把這種現(xiàn)像稱為電致發(fā)光或場致發(fā)光 (electroluminescent)，簡稱EL。它是通過加在兩電極的電壓產(chǎn)生電場，被電場激發(fā)的電子碰擊發(fā)光中心，而引致電子能級的躍進、變化、復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光的一種物理現(xiàn)象。電致發(fā)光（EL）按激光發(fā)過程的不同，其原理可以分為二大類：
2.1注入式電致發(fā)光
直接由裝在晶體上的電極注入電子和空穴，當電子與空穴在晶體內(nèi)再復(fù)合時，以光的形式釋放出多余的能量。注入式電致發(fā)光的基本結(jié)構(gòu)是結(jié)型二極管（LED），現(xiàn)以半導(dǎo)體發(fā)光二極管為例說明其基本原理。
半導(dǎo)體發(fā)光二極管的主要結(jié)構(gòu)是半導(dǎo)體p-n結(jié)，當其外加正向偏置電壓時電子（空穴）會注入到p（n）型材料區(qū)，這樣注入的少數(shù)載流子會通過直接或間接的途徑與多數(shù)載流子復(fù)合，載流子復(fù)合過程中會輻射發(fā)光，這種由載流子注入引起的復(fù)合發(fā)光被稱為注入式電致發(fā)光，其基本結(jié)構(gòu)如圖6所示。發(fā)光二極管的半導(dǎo)體發(fā)光芯片被固定在導(dǎo)電、導(dǎo)熱的金屬支架上，外圍再封以環(huán)氧樹脂，起到聚光和保護芯片的作用，發(fā)光芯片無疑是整個LED器件的核心。LED芯片結(jié)構(gòu)是一個典型的分層結(jié)構(gòu)：芯片兩端是金屬電極，底部是襯底材料，當中是由P型層和N型層構(gòu)成的ＰＮ結(jié)，發(fā)光層位于P型層和N型層之間，是發(fā)光的核心區(qū)域，P型層、N型層和發(fā)光層通過在襯底材料上以特殊工藝外延生長而得。發(fā)光的基本原理簡圖如圖7所示。芯片工作時，P型層和N型層提供發(fā)光所需的空穴和電子，它們被注入到發(fā)光層發(fā)生復(fù)合發(fā)光。復(fù)合過程的發(fā)光機制主要是由半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)決定。半導(dǎo)體的能帶分為量子態(tài)被電子全填滿的價帶和量子態(tài)未被電子全填滿的導(dǎo)帶，兩者之間的能隙稱之為禁帶，也稱帶隙，用Eg表示。半導(dǎo)體的光學(xué)躍遷發(fā)生在價帶頂和導(dǎo)帶低附近。輻射電磁波的頻率由Eg=hv可求得。在半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)中，價帶頂?shù)哪芰课恢煤蛯?dǎo)帶低的能量位置同處于K空間同一點，即同處在一個布里淵區(qū)的中心點。此結(jié)構(gòu)為直接能帶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，價帶頂?shù)哪芰课恢煤蛯?dǎo)帶低的能量位置不同的能帶結(jié)構(gòu)為間接能帶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。電子和空穴的復(fù)合過程滿足動量守恒定律和能量守恒定律。電子在直接能帶結(jié)構(gòu)中的直接躍遷發(fā)光不需聲子參加，而間接躍遷過程需要聲子的參與才能滿足動量守恒定律，而且間接躍遷復(fù)合幾率較直接躍遷復(fù)合幾率小3～4個數(shù)量級，所以在制備半導(dǎo)體LED結(jié)構(gòu)時應(yīng)盡量選取直接能帶半導(dǎo)體材料。如GaN和ZnO兩種基材料都是直接能帶半導(dǎo)體材料。
2.2本征型電致發(fā)光
本征型電致發(fā)光又可稱為高場電致發(fā)光與低能電致發(fā)光。高場電致發(fā)光是熒光粉中的電子或由電極注入的電子在外加強電場的作用下在晶體內(nèi)部加速，碰接發(fā)光中心并使其激發(fā)或離化，電子在回復(fù)到基態(tài)時輻射發(fā)光。低能電致發(fā)光是指某些高電導(dǎo)熒光粉在低能電子注入時的激勵發(fā)光現(xiàn)象。
3陰極射線發(fā)光
陰極射線發(fā)光(Cathodoluminescence)，即發(fā)光物質(zhì)在電子束激發(fā)下所產(chǎn)生的發(fā)光，簡稱為CL。最常見的應(yīng)用是電視顯像屏，當然還包括計算機、電子顯微鏡和各式各樣電子儀器的顯示屏。這種應(yīng)用所使用的電子具有很高的能量，通常在幾千甚至上萬電子伏(eV)。和光致發(fā)光相比，所用的能量是很大的，其激發(fā)過程也是不一樣的，比較復(fù)雜。
基本原理是當高能量電子束進入發(fā)光體后撞擊晶格，產(chǎn)生數(shù)量增多的電子，這就是次級電子(secondary electron)。次級電子又會產(chǎn)生電子。次級電子的能量自然不斷減小，但數(shù)量倍增。最后，當大量的、能量只有幾個eV的電子去激發(fā)發(fā)光材料，如LaOCl：Dy3+/Tm3+（圖9），產(chǎn)生許多電子-空穴對，這些電子通過諧振或準諧振的形式將能量傳遞給發(fā)光中心離子，如Dy3+/Tm3+，最終使發(fā)光材料發(fā)光。另外，次級電子的能量分布很寬，能夠激發(fā)各種能態(tài)，所以大多數(shù)物質(zhì)都有CL。它和PL類似，也可用來研究分析物質(zhì)的結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)、缺陷等。

圖9 LaOCl：Dy3+/Tm3+的CL發(fā)光原理
4 X射線即高能粒子發(fā)光
在各種射線如α、β、γ等核輻射以及X射線激發(fā)下，發(fā)光物質(zhì)所產(chǎn)生的發(fā)光稱為X射線即高能粒子發(fā)光。發(fā)光物質(zhì)對這些高能量的吸收一般經(jīng)過三個過程：帶電粒子的減速、高能粒子的吸收以及電子-正電子對的形成。其中，眾所周知的X射線發(fā)光的應(yīng)用就是醫(yī)用的X光透視屏和攝像增感屏。另一個在核物理的重要應(yīng)用是閃爍計數(shù)器用的發(fā)光晶體。由于上述射線都是高能量的，所以它們主要都是通過產(chǎn)生的次級電子激發(fā)發(fā)光，基本原理與CL發(fā)光相似。
X射線和γ射線是不帶電的粒子流，也稱高能光子流。通常，X射線主要產(chǎn)生光電效應(yīng)。這些高能射線激發(fā)發(fā)光物質(zhì)時，均會產(chǎn)生大量的次級電子，而這些次級電子又會進一步激發(fā)或離化發(fā)光物質(zhì)而發(fā)光。α、β粒子入射到發(fā)光物質(zhì)的后，會發(fā)生晶格原子的離化，產(chǎn)生很多具有很多動能的離化電子、離化電子又可繼續(xù)引起其他原子的激發(fā)或離化，產(chǎn)生次級電子，即發(fā)光物質(zhì)對高能帶電粒子的能量吸收。當這些激發(fā)或離化狀態(tài)重新回到平衡態(tài)時，產(chǎn)生發(fā)光，

熒光 fluorescence，磷光 phosphorescence，光致發(fā)光 photoluminescence
發(fā)光 luminescence
熒光和磷光是發(fā)光的兩個種類，也可以說是發(fā)光按發(fā)光持續(xù)時間的長短的一個分類！
熒光: 激發(fā)和發(fā)射的間隔時間極短，約為10^-8 s, 撤掉光源，發(fā)光會立即消失。
磷光：ex與em的間隔較長，撤掉光源，發(fā)光還會持續(xù)一段時間。因此，就可以用“余輝”來表示持續(xù)時間。長余輝材料就是磷光發(fā)光材料的一種，當然根據(jù)余輝時間長短還有短余輝和長余輝等。
光致發(fā)光的概念就很廣了，用光源激發(fā)發(fā)光的都可統(tǒng)稱為光致發(fā)光。
luminescence：目前，個人感覺有點泛指能級間躍遷的發(fā)光。另外，熒光光譜儀中的luminescence測試一欄呢，一般也都用來測量非儀器本身的光源激發(fā)的發(fā)光，或是材料自發(fā)發(fā)光。

歡迎大家補充和糾正。