正面長有氮化硅(Si3N4)的硅片怎樣去除硅片背面的薄淡化硅層(~幾nm)
我想用長有氮化硅的硅片作OTFT襯底,怎樣去除硅片背面的薄氮化硅(約幾nm)層,以露出硅用作OTFT的柵電極(實驗室用)。各位帥鍋,美女,求助!有知道的回個帖,謝謝!
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京公網(wǎng)安備 11010802022153號
用氫氟酸腐蝕去掉就行了
不過注意安全
用氫氟酸腐蝕背面的時候,正面用什么掩蓋?
如果用光刻膠掩蓋正面,光刻膠怎么去除干凈?
另外,能不能用透明膠把正面封上,只在背面中間留一小塊用氫氟酸腐蝕?你在實驗中怎么處理這個問題
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為什么要用氮化硅呢?
直接用硅片不就可以了么
硅片的襯底是可以直接做柵極的
是用硅片作柵,用氮化硅作絕緣層