CTAB焙燒前后對MCM-48的XRD衍射圖譜的變化?
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各位大俠好!!請教大家一下,就是我做的介孔材料在550℃下未焙燒時其XRD衍射峰未出現(xiàn)歸屬于MCM-48的特征峰,一旦其經(jīng)過550℃焙燒后就出現(xiàn)了歸屬于MCM-48的特征峰 出現(xiàn)這種情況的原因是什么呢?有沒有人給我詳細(xì)解釋下啊
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各位大俠好!!請教大家一下,就是我做的介孔材料在550℃下未焙燒時其XRD衍射峰未出現(xiàn)歸屬于MCM-48的特征峰,一旦其經(jīng)過550℃焙燒后就出現(xiàn)了歸屬于MCM-48的特征峰 出現(xiàn)這種情況的原因是什么呢?有沒有人給我詳細(xì)解釋下啊
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京公網(wǎng)安備 11010802022153號
焙燒后結(jié)晶度會提高。
合成MCM-48的時候要用CTAB和三嵌段聚合物做表面活性劑,這些表面活性劑要在500度以上焙燒才能完全去除,去除之后才能形成介孔結(jié)構(gòu)。樓主是不是沒有高溫處理過?沒有處理過,相當(dāng)于孔道里面全是表面活性劑,沒有孔道,也沒有XRD的峰。
恩燒了 呀 我只是想知道這里面有沒有詳細(xì)的資料區(qū)說明這個焙燒前后XRD圖譜的變化
,
不知道這篇文獻對樓主有沒有幫助?
MCM—41介孔分子篩結(jié)構(gòu)的XRD表征.pdf(176.61KB)
https://kuai.xunlei.com/d/GMWYEZRILLYL?p=130497
非常感謝啊