載流子的飽和漂移速度
載流子的平均漂移速度隨著電場(chǎng)的增大而增大，但當(dāng)電場(chǎng)增大到一定程度是，載流子的漂移速度達(dá)到極限值。
為什么不能隨電場(chǎng)一直增加
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京公網(wǎng)安備 11010802022153號(hào)
在強(qiáng)電場(chǎng)時(shí)，電子將成為具有高能量的熱電子——?jiǎng)幽芨哂谄骄鶡徇\(yùn)動(dòng)能量kT的電子，致使載流子的漂移速度與電場(chǎng)的關(guān)系比較復(fù)雜。對(duì)n型GaAs等雙能谷半導(dǎo)體，熱電子將由有效質(zhì)量較小（0.067m）的主能谷往有效質(zhì)量較大（0.55m）的次能谷躍遷，則出現(xiàn)負(fù)電阻（此時(shí)遷移率由最大值開(kāi)始下降）；在更強(qiáng)電場(chǎng)時(shí)，次能谷中高能量熱電子還將與光學(xué)波聲子散射而損失能量，致使漂移速度飽和（漂移速度vd 趨于熱運(yùn)動(dòng)速度）。對(duì)于n-Si，因?yàn)閷?dǎo)帶不存在雙能谷，所以熱電子僅在主能谷中通過(guò)與光學(xué)波聲子散射而損失能量，使漂移速度達(dá)到飽和（vs），則不出現(xiàn)負(fù)電阻，