鈦膜表面略微粗糙化
求助一下小木蟲上的朋友:
我的實驗?zāi)康氖沁@樣的,將濺射在硅基底表面的一層鈦膜(鈦膜厚度為500nm)放在80°C的H2O2溶液(H2O2溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%)中反應(yīng),使鈦膜氧化成TiO2的膜。
我的實驗遇到的問題是這樣的,如果直接將濺射完的鈦膜和80°C的H2O2反應(yīng),實驗很難進行。只有使鈦膜的表面有略微的粗糙化才能和H2O2發(fā)生氧化反應(yīng)。
我之前對鈦膜進行過酸化處理來使其表面粗糙化。用稀釋50倍和100倍的HF(HF的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為49%),腐蝕的時間是1秒。但是稀釋后的HF腐蝕速度非?,腐蝕的速率也不容易控制。而且濺射上的鈦膜很。ㄢ伳ず穸葹500nm),這樣就更增加了腐蝕的困難。
文獻(xiàn)上有用HF和硝酸的混酸來使鈦片的表面粗糙化的,但是硝酸對硅片是有腐蝕的,所以這個方法也不適用我這個實驗。
請有這方面經(jīng)驗的老師和同學(xué)賜教。謝謝。
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謝謝
既然“鈦膜很薄(鈦膜厚度為500nm)”
建議樓主,先把硅基底表面粗化后再濺射鈦膜,可以免去后繼鈦膜的粗化。
你看是否可以嘗試
非常感謝,你的幫助對我很有幫助,謝謝
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