從哪里聽來的預(yù)阱？

轉(zhuǎn)發(fā)：
      量子阱生長過程中，由于受到材料的影響，晶格的不匹配產(chǎn)生很大的應(yīng)力，這些應(yīng)力在緩沖層和n-GaN層由于不能夠很好的釋放，會一直發(fā)展到量子阱層中，量子阱中發(fā)生遲豫，對發(fā)光波長產(chǎn)生很大的影響，而且量子阱中也不可避免出現(xiàn)極化效應(yīng)，極化效應(yīng)使得量子阱發(fā)光的波長發(fā)生漂移，發(fā)光的單色性受到很大的影響，對于芯片的利用受到很大的限制，在生產(chǎn)中，為了保證在不同注入電流情況下光的單色性能夠得到有效的保證，我們需要通過一些特殊的方法來減小量子阱中的極化效應(yīng)。

      臺灣LED芯片生產(chǎn)廠家一般釆用在量子前生長預(yù)阱的方式來釋放應(yīng)力以減弱極化效應(yīng)。

    我們也實(shí)驗(yàn)生長了一組InGaN/GaN SLS預(yù)阱來觀察其用對量子阱的發(fā)光的影響。我們在藍(lán)寶石PSS襯底上生長2μm的緩沖層結(jié)構(gòu)，然后生長2μ的n-GaN層，在量子阱生長前，我們生長三組不同的預(yù)阱結(jié)構(gòu)，具體參數(shù)如表，然后生長8
(doped) +5 (undoped)的量子阱結(jié)構(gòu)，長完完整的結(jié)構(gòu)后，退火后取出。

    論文分析結(jié)論：一定周期的量子阱預(yù)阱結(jié)構(gòu)可以有效的釋放材料的應(yīng)力，是應(yīng)力釋放的很好途徑，減小應(yīng)力對量子阱的影響，也可以使極化效應(yīng)產(chǎn)生的結(jié)果釋放于預(yù)阱中，對發(fā)光的穩(wěn)定性有著很大的提高。
https://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10004-1012356647.htm，