制備ZnO肖特基接觸與金屬膜厚有關(guān)嗎
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做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，在單晶ZnO薄膜上渡了一層金屬Pd（功函數(shù)大約5.12eV）。理論上與ZnO形成肖特基接觸，之前也做過(guò)幾次，得到了很好的肖特基接觸。用的是磁控濺射方法，再做時(shí)卻得到了歐姆接觸，不知道怎么回事。得到歐姆接觸的實(shí)驗(yàn)，濺射時(shí)間較長(zhǎng)，金屬膜較厚。請(qǐng)問(wèn)肖特基接觸與金屬膜厚有關(guān)嗎？實(shí)驗(yàn)失敗的原因是什么呢？請(qǐng)各位大俠多多指點(diǎn)。
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京公網(wǎng)安備 11010802022153號(hào)
可能與膜厚有關(guān)
還有可能Pd是否有部分氧化活進(jìn)入ZnO內(nèi)部
磁控濺射，你打上去的時(shí)候接觸的致密性其實(shí)不是很好。一般和膜厚度關(guān)系不大，關(guān)鍵是兩種材料的接觸，只要接觸的好的話，很薄也可以的，出現(xiàn)歐姆接觸也很正常
接觸的致密性？那要怎么改善呢？我要做肖特基接觸，不是歐姆接觸。要怎么改善呢？調(diào)整濺射功率嗎
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