請(qǐng)問(wèn)非晶硅是直接帶隙嗎？
最近查資料發(fā)現(xiàn)有人說(shuō)非晶硅是直接帶隙（百度詞條里也說(shuō)非晶硅是一種直接能帶半導(dǎo)體），但是疑問(wèn)就來(lái)了，為什么是直接帶隙，但文獻(xiàn)里光學(xué)能隙所用的都是這個(gè)tauc公式：(hav)1/2=k(hv-Eg)？？？
這個(gè)不是間接帶隙的擬合方式嗎？
求大家熱心解答呢
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多晶硅是直接帶隙，樓主所說(shuō)的文獻(xiàn)引錯(cuò)了公式。
正確的應(yīng)該是這樣：
https://www.docin.com/p-485591016.html
n= 2 0.5的公式都有啊，n=2 for a direct transition or 1/2 for an indirect transition. 非晶硅是一種直接能帶半導(dǎo)體,
謝謝您的熱心解答，這篇文獻(xiàn)我看過(guò)，我覺(jué)得這篇文獻(xiàn)比較片面呢，我查過(guò)很多文獻(xiàn)，多晶硅應(yīng)該是間接帶隙
謝謝您的熱心回復(fù)，但是您說(shuō)非晶Si是一種直接能帶半導(dǎo)體，能給出參考文獻(xiàn)嗎？我找了很多，都沒(méi)找到呢
還有呢，我想知道的是非晶Si的呢，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)能回復(fù)一下嗎？
你在數(shù)據(jù)庫(kù)里搜搜吧，我們最近網(wǎng)不好。https://baike.baidu.com/link?url ... bEvp_mVa9Ko9MnedWfq
，
我找過(guò)，沒(méi)找到呢，所以才來(lái)這里求助的，不過(guò)還是謝謝你啦