氮化物半導(dǎo)體(GaN,AlN)方向招聘博士后 深圳大學(xué) 光電工程學(xué)院
一,應(yīng)聘要求:
1,獲得或即將獲得相關(guān)專業(yè)博士學(xué)位。
2,研究背景(滿足一項(xiàng)或以上):
(i) 半導(dǎo)體物理性質(zhì),如光學(xué)、電學(xué)、缺陷的光電特性等;
(ii) 半導(dǎo)體工藝和(發(fā)光、光電、功率等)器件測(cè)試、器件物理;
(iii) 外延生長(zhǎng);
(iv) 單光子相關(guān)。
3,具有良好的英文寫作能力,以第一作者發(fā)表過1篇以上SCI論文。
4,年齡不超過35周歲。
二,待遇:(26-30萬/年)
按照深圳市和深圳大學(xué)相關(guān)規(guī)定,博士后基本待遇25.7萬/年。若是泰晤士高等教育世界大學(xué)前200名高校(包括國(guó)內(nèi))應(yīng)屆或一年內(nèi)畢業(yè)的博士;或在博士期間發(fā)表3篇JCR二區(qū)及以上論文的,基本待遇為28.1萬/年。另外,還有申請(qǐng)課題、發(fā)表論文等相關(guān)的獎(jiǎng)勵(lì)。
支持赴境外或國(guó)外交流訪問。
三,出站要求:
發(fā)表JCR一區(qū)期刊論文1篇,或JCR二區(qū)期刊論文2篇,或JCR三、四區(qū)期刊論文4篇。
四,入站時(shí)間:隨時(shí)入職
五,合作導(dǎo)師:
李百奎,博士,助理教授。長(zhǎng)期致力于II-VI,III-V族寬禁帶半導(dǎo)體,尤其是氮化物半導(dǎo)體的物理性質(zhì)研究,先進(jìn)器件工藝開發(fā),和新型光電器件和功率器件的研究。
目前研究方向包括:氮化鎵異質(zhì)結(jié)新型發(fā)光器件和功率器件及,光電集成;氮化鋁單晶的物理性質(zhì)和器件;單光子探測(cè)。
支撐項(xiàng)目:國(guó)家自然科學(xué)基金(包括重點(diǎn)項(xiàng)目1項(xiàng))、廣東省自然基金、深圳市等課題多項(xiàng),經(jīng)費(fèi)充足。
聯(lián)系方式:
請(qǐng)將個(gè)人簡(jiǎn)歷和代表論文發(fā)送至:libk@szu.edu.cn,李百奎老師。
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頂,支持!歡迎感興趣的學(xué)生聯(lián)系李教授,為人nice科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)暮美蠋煟?/p>
頂李教授!
明年畢業(yè)的,提前來報(bào)道
18年畢業(yè)博士
III-V材料和器件方向
先占個(gè)位