主要都不明白你在說什么

設(shè)討論的是N溝道增強型MOS管，則其源極（S）接地，漏極（D）接正壓（設(shè)為Vd）。很顯然，在溝道中從S到D這段距離中，溝道電壓是從0到Vd漸漸變大的（設(shè)某處的溝道電壓為V），而柵壓Vg減去溝道電壓V至少等于閾值電壓Vt時，柵下溝道才能反型（即形成電子導(dǎo)電溝道，且電子濃度n的水平恰等于原來未反型時P型Si中的空穴濃度p）。當Vd大于一定值時，會使Vg－Vd<Vt，則漏端先不能反型（即此處電子被耗盡，稱為溝道夾斷），顯然當Vd繼續(xù)增大，則耗盡區(qū)（夾斷區(qū)）會向S端擴展。所以溝道一般不是一下子都耗盡的，而是有耗盡的，也有未耗盡的區(qū)域。

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這個知識在任何一本《半導(dǎo)體器件物理》中都會講到。