反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷
反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷樣品做背散射電子圖像時(shí)，碳化硅和硅原子序數(shù)那個(gè)大一點(diǎn)？就是說是碳化硅更亮一點(diǎn)還是貴更亮
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殘留Si更亮的。背散射電子物相襯度可以理解成與平均原子序數(shù)呈正相關(guān)
實(shí)際計(jì)算蠻復(fù)雜的，一般可以簡化一些，就是SiC含有一個(gè)Si原子和一個(gè)C原子，摩爾比為1：1，進(jìn)行摩爾百分比加權(quán)，也就是14*0.5+6*0.5=10，Si自身的原子序數(shù)是14，所以在背散射電子圖像中，單質(zhì)Si的原子序數(shù)襯度亮度更高
，
一般的化合物例如AxBy的平均原子序數(shù)也是這樣計(jì)算：Na*x/（x+y）+Nb*y/(x+y)？