磁控濺射的疑惑
如題，采用磁控濺射，靶材如果是高純石墨，得到的薄膜為無(wú)定型碳結(jié)構(gòu)，和靶材結(jié)構(gòu)差異性很大，但靶材如果是ITO靶，也就是氧化銦錫靶，得到的薄膜卻與靶材結(jié)構(gòu)近似，這是不是因?yàn)闅辶Ｗ拥霓Z擊過(guò)程，破壞了石墨的原子結(jié)構(gòu)，那如果是這樣的，濺射ITO的過(guò)程，為什么不會(huì)破壞ITO的結(jié)構(gòu)。
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成分是成分，晶體結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)則是需要條件滴
還是成鍵的能量問(wèn)題
靶材被粒子轟擊，是以原子的形式沉積在基板上，成膜的時(shí)候，不同的靶材成分，晶體排列方式是不一樣的
形成結(jié)構(gòu)的能量（或者說(shuō)條件）是不一樣的，而且濺射ITO如果不通氧氣的話也會(huì)出現(xiàn)氧缺失，并不是說(shuō)靶材和鍍的膜就完全一致，
請(qǐng)問(wèn)一下，你那里能鍍厚度是100nm左右的ITO薄膜嗎？