本人是做光電催化方向研究的，考慮到要測試光電響應(yīng)這一塊的內(nèi)容，因此想了解一下選擇p-Si兩面分別進(jìn)行光電測試是否有區(qū)別。

你這個硅片應(yīng)該是拋光過，只拋一面而已。別一面有微粗糙是原使硅片切割中留下的線痕。你現(xiàn)在做測試應(yīng)該選擇光面測試，我對光電催化不了解，但對光伏和半導(dǎo)體硅片比較了解也接觸過。如光伏用的硅片表面不能有線痕，這種工藝在切割時就定型，用途太陽能發(fā)電。而半導(dǎo)體硅片在切割時，硅片兩面都有線痕，經(jīng)拋光研磨后成晶圓，再上光刻膠，時刻等等就變成芯片。

你最好找光伏板塊問，硅片一般分正面和背面，正面印正銀，背面印背銀和背鋁，烘干燒結(jié)后可以使用并測試。

紙模

關(guān)鍵是你現(xiàn)在研發(fā)的方向是太陽能電片上的應(yīng)用，還是半導(dǎo)體硅片上的應(yīng)用。如果你現(xiàn)在研發(fā)是未來的半導(dǎo)體硅片光電催化。你就不能往光伏想了吧，兩者用途工藝都不一樣。如想了解更多加我吧。