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關(guān)注得不多,有幾點(diǎn)可能值得注意。 1. STO的晶界電阻:Grain boundary engineering nanostructured SrTiO3 for thermoelectric applications 單晶的效果比較好,或者采用界面修飾;Large thermoelectric power factor in Pr-doped SrTiO3 ceramics via grain-boundary-induced mobility enhancement 2. STO的熱導(dǎo)太高,類(lèi)似于HH,細(xì)化晶粒應(yīng)該不是一個(gè)很好的選擇因?yàn)闀?huì)嚴(yán)重?fù)p害電學(xué)性能。那么摻雜點(diǎn)缺陷或許比較有效,還能改善電學(xué)性能?梢越梃b方鈷礦采用多元素?fù)诫s。 如果要細(xì)化晶粒,那得想辦法改善晶界電阻,比如上述提到的界面修飾; 3. STO通過(guò)熱變形可以引入位錯(cuò),比如最近一篇文章:Influence of dislocations on thermal conductivity of strontium titanate 但是對(duì)位錯(cuò)密度要求很高,或許實(shí)驗(yàn)上不容易實(shí)現(xiàn)。 4. 我在谷歌學(xué)術(shù)檢索了一下SrTiO3 & Thermoelectric,有很多對(duì)應(yīng)的文章,說(shuō)明還有蠻多的人在研究這個(gè)方向; 5. 定位高溫?zé)犭姴牧希?/p>
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關(guān)注得不多,有幾點(diǎn)可能值得注意。
1. STO的晶界電阻:Grain boundary engineering nanostructured SrTiO3 for thermoelectric applications
單晶的效果比較好,或者采用界面修飾;Large thermoelectric power factor in Pr-doped SrTiO3 ceramics via grain-boundary-induced mobility enhancement
2. STO的熱導(dǎo)太高,類(lèi)似于HH,細(xì)化晶粒應(yīng)該不是一個(gè)很好的選擇因?yàn)闀?huì)嚴(yán)重?fù)p害電學(xué)性能。那么摻雜點(diǎn)缺陷或許比較有效,還能改善電學(xué)性能?梢越梃b方鈷礦采用多元素?fù)诫s。
如果要細(xì)化晶粒,那得想辦法改善晶界電阻,比如上述提到的界面修飾;
3. STO通過(guò)熱變形可以引入位錯(cuò),比如最近一篇文章:Influence of dislocations on thermal conductivity of strontium titanate
但是對(duì)位錯(cuò)密度要求很高,或許實(shí)驗(yàn)上不容易實(shí)現(xiàn)。
4. 我在谷歌學(xué)術(shù)檢索了一下SrTiO3 & Thermoelectric,有很多對(duì)應(yīng)的文章,說(shuō)明還有蠻多的人在研究這個(gè)方向;
5. 定位高溫?zé)犭姴牧希?/p>
https://www.sciencedirect.com/sc ... 20307734?via%3Dihub
曉磊剛上線一篇綜述,這個(gè)對(duì)你肯定有幫助。