計算缺陷形成能，利用文獻上的公式，但結果感覺很不靠譜。。。。
電中性的結果還好，帶負電荷的缺陷其形成能計算結果顯示在整個費米能級區(qū)間都是負的。。。負的十幾電子伏特
修正項數(shù)值較小，對結果的影響小，我覺得是帶電缺陷能量的計算結果影響比較大，但是我計算能量用的參數(shù)都一樣，只是NELECT的設置不同
下面是一個空位缺陷的相關計算信息
電荷量   含缺陷體系能量 完美超胞能量  化學勢  費米能級范圍
-3        -457.2247659        -501.1467179          -9.285        0-2.25
-2        -467.2487878        -501.1467179          -9.285        0-2.25
-1        -477.1471905        -501.1467179          -9.285        0-2.25
0        -487.0161765        -501.1467179          -9.285        0-2.25
1        -496.8572304        -501.1467179          -9.285        0-2.25
2        -506.6024742        -501.1467179          -9.285        0-2.25
3        -514.48853        -501.1467179          -9.285        0-2.25
下面給出我計算能量的INCAR，以-1價缺陷為例
SYSTEM = VC   
ISTART =  0           # (Read existing wavefunction; if there)   
ISPIN =  2          # (Spin polarised DFT)   
LREAL  = Auto      # (Projection operators: automatic)   
ENCUT  =  550         # (Cut-off energy for plane wave basis set, in eV)   
PREC   =  Accurate    # (Precision level)   
LWAVE  = .T.          # (Write WAVECAR or not)   
LCHARG = .T.          # (Write CHGCAR or not)  
LVHAR  = .TRUE.     # (Write ionic + Hartree electrostatic potential into LOCPOT or not)   
NELECT = 253           # (No. of electrons: charged cells; be careful)   
NPAR   = 4          # (Max is no. nodes; don't set for hybrids)   
IVDW = 12   
ISYM = 0 # Lattice Relaxation   
ISMEAR =  0           # (gaussian smearing method )  
SIGMA  =  0.05        # (please check the width of the smearing)
EDIFFG = -0.001       # (Ionic convergence; eV/AA)  
EDIFF = 1E-06   
GGA = PE
有做缺陷形成能計算的朋友幫我看一下吧，先謝謝各位了 返回小木蟲查看更多