交叉學(xué)科涉及了半導(dǎo)體相關(guān)的內(nèi)容，制備的材料為ZnO/MoS2的核殼異質(zhì)結(jié)構(gòu)，探究對丙酮的氣敏性能。
文獻(xiàn)上寫由于ZnO的功函數(shù)小于MoS2，當(dāng)兩種材料接觸時，電子會從ZnO轉(zhuǎn)移到MoS2，并在ZnO和MoS2的界面上形成n-p異質(zhì)結(jié)。一邊產(chǎn)生電子耗盡層，一邊產(chǎn)生電子積累層。這會導(dǎo)致材料在空氣中的阻值進(jìn)一步變高，響應(yīng)增強(qiáng)。
請問是因?yàn)閆nO產(chǎn)生了電子耗盡層而使得阻值升高么？這樣的話，那MoS2的界面上還產(chǎn)生了電子積累層，這不會使阻值降低么？還是說是因?yàn)橹饕�的電子傳輸路徑是在ZnO層上，所以以ZnO阻值變化為基準(zhǔn)？
還有個問題是，文獻(xiàn)寫道“當(dāng)通入丙酮時，ZnO表面電子濃度增加，MoS2表面空穴濃度降低”是因?yàn)楸�酮會與材料表面的化學(xué)吸附氧反應(yīng)，把吸附氧捕獲的電子釋放回材料，讓電子濃度增加，并間接的讓空穴的濃度降低么？

謝謝大佬們了
圖片為啥傳不上.... 返回小木蟲查看更多