求問濺射lift off工藝要點(diǎn)
在硅上做PT電極的圖形,濺射+lift off。膠是5350,大概1-2um,Pt濺射厚度50nm,用丙酮liftoff,但是一洗就掉。
求問是什么原因?考慮做粘附層;不知道圖形小有沒有關(guān)系?(大小為100um*100um)
順便想問下lift off的手法,可以晃動(dòng)嗎?還是一直靜置。
先謝謝了!
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在硅上做PT電極的圖形,濺射+lift off。膠是5350,大概1-2um,Pt濺射厚度50nm,用丙酮liftoff,但是一洗就掉。
求問是什么原因?考慮做粘附層;不知道圖形小有沒有關(guān)系?(大小為100um*100um)
順便想問下lift off的手法,可以晃動(dòng)嗎?還是一直靜置。
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需要加粘附層Ti,還有你這個(gè)太薄了粘連一起剝離下來了。
有dl回答嗎可散金幣
2樓回答的確切,硅片做圖案化pt已經(jīng)是很成熟的工藝了,增粘層和打底膠去除(表面清洗)沒啥問題的,但是前提你要保證顯影沒有問題
不知道為什么內(nèi)容被屏蔽,可以麻煩再回答一下嗎QAQ
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2樓回答的是“可以加一層黏附層鈦,你這個(gè)太薄了黏連一起掉了”
得做Ti或者Cr