無源射頻器件的射頻性能仿真與實(shí)際測(cè)試差異很大咨詢
無源射頻器件的射頻性能仿真與實(shí)際測(cè)試差異很大咨詢
實(shí)際50歐測(cè)試下 電壓駐波比才0-3G：1-1.3 ；
而在仿真環(huán)境下 電壓駐波比原大于實(shí)際測(cè)試：1-4了。
請(qǐng)問常見的有什么原因呢？
謝謝
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