在缺陷形成能的計算過程中，有一項就是從體系中拿出/放入多少電子到電子的reserva中，這個過程和費米能級的位子相關(guān)。建議你學(xué)習(xí)一下pyCDT,可與vasp對接進(jìn)行缺陷形成能等相關(guān)計算。

引用回帖:

2樓: Originally posted by leeeru at 2021-06-14 23:29:33
在缺陷形成能的計算過程中，有一項就是從體系中拿出/放入多少電子到電子的reserva中，這個過程和費米能級的位子相關(guān)。建議你學(xué)習(xí)一下pyCDT,可與vasp對接進(jìn)行缺陷形成能等相關(guān)計算。
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非常感謝您的回復(fù)，我還是有疑問，例如某一種缺陷電荷態(tài)（VLi3+）其對應(yīng)的費米能量是確定的，在費米能量VS形成能的圖中應(yīng)該對應(yīng)一個點，而現(xiàn)在圖中對應(yīng)的是從價帶頂?shù)綄?dǎo)帶底（帶隙范圍）費米能量，這是為什么呢？能不能解釋的詳細(xì)一點，剛接觸實在是不懂
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"某種電荷態(tài)下費米能級不是確定的嗎"

你認(rèn)為的fermi能級確定是VASP給出的。但實際上體系的Fermi能級受到摻雜濃度的影響的。VASP計算默認(rèn)是不摻雜純凈體系（除了你引入的這個缺陷）