課題組簡介

本課題組具有多年的氮化鎵基功率器件和射頻器件的研究基礎(chǔ)，依托廣東省GAN器件工程技術(shù)研究中心和第三代半導(dǎo)體器件深圳市重點實驗室，并與深圳市第三代半導(dǎo)體研究院合作緊密。課題組負責人有多項在研課題，科研經(jīng)費充裕。課題組依托的實驗室和測試中心，實驗條件完善，可以提供完整的器件加工和測試平臺，鼓勵科研創(chuàng)新。優(yōu)秀工作者可以帶領(lǐng)研究助理（RA或研究生）共同開展科研工作。

課題組負責人簡介

于洪宇教授，本科畢業(yè)于清華大學(xué)，碩士/博士分別畢業(yè)于加拿大多倫多大學(xué)/新加坡國立大學(xué)。2011年至今任南方科技大學(xué)教授，目前擔任深港微電子學(xué)院院長，深圳第三代半導(dǎo)體研究院院長，未來通信集成電路教育部工程研究中心主任，廣東省三維集成工程研究中心主任。于洪宇教授代表南科大與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同籌建深圳第三代半導(dǎo)體研究院，與清華大學(xué)共同牽頭籌建未來網(wǎng)絡(luò)高端器件制造業(yè)創(chuàng)新中心，籌建南科大深港微電子學(xué)院。牽頭組建深圳市第三代半導(dǎo)體重點實驗室、廣東省GaN器件工程技術(shù)中心，并成立團隊。享受深圳市政府特殊津貼，廣東省科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才，英國工程技術(shù)學(xué)會會士(Fellow of IET)，任Science Bulletin（科學(xué)通報英文版）副主編以及《Journal of Semiconductor》編輯。2004年至2008年，在比利時魯汶IMEC（全球著名微納電子研發(fā)中心）任資深研究員及項目負責人。2008年至2011年，在新加坡南洋理工大學(xué)電子與電工工程學(xué)院擔任南洋助理教授。發(fā)表學(xué)術(shù)論文近400篇（包括期刊與會議），其中近190篇被SCI收錄，總他引次數(shù)近5000 次，H 影響因子為39。受邀撰寫了4 本專業(yè)書籍的章節(jié)，并編輯2本書籍。發(fā)表/被授予近20 項美國/歐洲專利以及60余項國內(nèi)專利。于洪宇教授在集成電路工藝與器件方面，包括CMOS、新型超高密度存儲器、GaN器件與系統(tǒng)集成（GaN HEMT），取得一系列創(chuàng)新性工作。在南科大建成超過600平米的潔凈間，形成一個完整的6英寸工藝實驗室，其硬件水平相對領(lǐng)先。

專業(yè)方向

微電子學(xué)、材料、物理、化學(xué)、數(shù)學(xué)

招聘條件

1. 在相關(guān)專業(yè)已畢業(yè)或者即將畢業(yè)的博士，年齡在35歲以下，獲博士學(xué)位不超過3年
   
2. 熱衷科學(xué)研究、恪守學(xué)術(shù)道德準則，有強烈的責任心，工作勤奮踏實，具有團隊合作精神，具有較強的科研能力
   
3. 有良好的英文寫作與交流能力，能撰寫高水平中、英文研究論文，已在相關(guān)研究領(lǐng)域發(fā)表有影響力的高水平學(xué)術(shù)論文（第一作者或通訊作者）
   

1. 參與課題組與第三代半導(dǎo)體材料、器件及電路設(shè)計和制備方向相關(guān)的科研工作
   
2. 協(xié)助課題組申報各類科研課題及承擔相應(yīng)的科學(xué)研究任務(wù)
   
3. 發(fā)表具有國際競爭力的高水平學(xué)術(shù)論文
   

1. 博士后聘期兩年
   
2. 博士后年薪33.5萬元左右，含廣東省補助15萬元（稅前）及深圳市生活補助6萬元（稅后），并按深圳市有關(guān)規(guī)定繳納社會保險及住房公積金。博士后福利參照學(xué)校員額內(nèi)教職工標準發(fā)放
   
3. 特別優(yōu)秀者可以申請校長卓越博士后，年薪可達41.5萬元，（含廣東省及深圳市補助）；此前研究方向匹配度較好或是研究基礎(chǔ)較好的科研人員工資可以面談
   
4. 根據(jù)博士后具體科研工作業(yè)績情況，可享受院系、課題組相應(yīng)的科研績效獎勵
   
5. 課題組提供充足的科研支持，并協(xié)助博士后本人作為負責人申請中國博士后科學(xué)基金、國家自然科學(xué)基金及廣東省、深圳市各級科研項目
   

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