碲化鉍Bi2Te3的帶隙只有0.15eV，不應(yīng)該是半導(dǎo)體嗎？那它還是拓?fù)浣^緣體？
問(wèn)一個(gè)特別小白的問(wèn)題，最近看文獻(xiàn)很困擾，碲化鉍Bi2Te3的帶隙只有0.15eV，不應(yīng)該是半導(dǎo)體嗎？那為什么它是拓?fù)浣^緣體？拓?fù)浣^緣體內(nèi)部不是絕緣體嗎？帶隙不應(yīng)該比較大嗎還是說(shuō)表面金屬態(tài)和內(nèi)部的絕緣體中和了下帶隙所以帶隙比較小？
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京公網(wǎng)安備 11010802022153號(hào)
屬于拓?fù)浣^緣體，帶隙里有拓?fù)浔砻鎽B(tài)
半導(dǎo)體的概念是有正的帶隙，碲化鉍算半導(dǎo)體，同時(shí)考慮有拓?fù)浔砻鎽B(tài)的貢獻(xiàn)，那就是拓?fù)浣^緣體，一般晶體質(zhì)量不高，拓?fù)浔砻鎽B(tài)的信號(hào)會(huì)被
體態(tài)的價(jià)帶信號(hào)所掩膜，所以考慮就作為半導(dǎo)體。如果作為薄膜材料，很薄100nm以下甚至幾個(gè)單胞厚的話，比表面積大，就要結(jié)合晶體質(zhì)量
考慮表面態(tài)的影響了
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