結(jié)構(gòu)比較簡單，就是單純的一維結(jié)構(gòu)，在硅基底上先鍍一層銀，再鍍一層TiO2

嘗試過用ALD鍍TiO2（前驅(qū)體為TiCl4），結(jié)果發(fā)現(xiàn)在高溫過程后TiO2生長的很不均勻，光譜也和理論解對不上，薄膜表面存在可見的氣泡

嘗試過用磁控濺射鍍兩層結(jié)構(gòu)，分別標(biāo)定了折射率和厚度均沒問題后，兩層結(jié)構(gòu)加工在一起就和理論解有極大的差別，不知為何銀在可見光長波段和近紅外區(qū)域的反射能力都被破壞了（靶材用的是導(dǎo)電的TiO2靶材，黑色，可能存在摻雜元素）

嘗試過用電子束蒸鍍鍍雙層結(jié)構(gòu)，但會出現(xiàn)TiO2折射率偏小的問題（可能只有2.0~2.1），光譜和理論也對不上

請教一下各位大神上述加工失敗的原因可能是什么，如何解決呢？
考慮到納米銀薄膜和納米TiO2薄膜的特性，用什么工藝加工這種結(jié)構(gòu)比較合適呢？

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