香港中文大學(xué)(深圳)納米光電子實(shí)驗(yàn)室招聘研究員/研究助理教授/博后
【招聘方向一】光學(xué)/光電方向 3-4人,申請(qǐng)者具有下面任一或多項(xiàng)經(jīng)驗(yàn)者均可。
1. 半導(dǎo)體激光器制成和測(cè)量方向(尤其是波長(zhǎng)調(diào)制及光子集成);
(1) 半導(dǎo)體激光器光電設(shè)計(jì)、工藝制成及光電測(cè)量經(jīng)驗(yàn);
(2) gaas/inp基化合物的mbe或mocvd外延生長(zhǎng);
2. 電磁波(光學(xué)、微波等)、半導(dǎo)體電子學(xué)等仿真方向。有comsol, fdtd solution或synopsis rsoft等光電(熱)耦合仿真經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;
3. 半導(dǎo)體器件高速(瞬態(tài))光學(xué)(及電學(xué))測(cè)量方向。有使用pump-probe, 條紋相機(jī)等經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;
4. 非線性方向:非線性波導(dǎo)仿真、制成和測(cè)量方向;
5. 二維光電材料:二維材料發(fā)光二極管的制成和測(cè)量方向;
6. 硅光集成:硅光集成的設(shè)計(jì)仿真、制成工藝及測(cè)量方向;飛秒激光三維加工或光學(xué)引線鍵合技術(shù) (photonic wire bonding)技術(shù)方向;
【招聘方向二】鈣鈦礦/有機(jī)方向 2-3人,申請(qǐng)者具熟悉鈣鈦礦led或激光器的理論、工藝和測(cè)試,發(fā)表過(guò)相關(guān)高水平文章。
【申請(qǐng)條件與要求】
1、身體健康,博后年齡不超過(guò)35周歲,研究員無(wú)年齡限制。
2、已獲得博士學(xué)位證書,且獲學(xué)位時(shí)間一般不超過(guò)3年的全日制博士。
3、全職從事博士后研究工作。
【待遇與工作條件】
1、與香港中文大學(xué)(深圳)簽訂合同,工資根據(jù)個(gè)人能力而定,享受五險(xiǎn)一金和商業(yè)保險(xiǎn)(含配偶和子女)等福利;
2、申請(qǐng)享受深圳市博士后生活補(bǔ)助(稅前18萬(wàn)元/年,不超過(guò)2年)及龍崗區(qū)博士后生活補(bǔ)助(稅后12萬(wàn)/年,不超過(guò)2年) ,相關(guān)政策按最新要求執(zhí)行;
3、符合條件者可申請(qǐng)各級(jí)人才計(jì)劃,并享受相關(guān)待遇;
4、可申請(qǐng)中國(guó)博士后科學(xué)基金以及國(guó)家省市各級(jí)科技項(xiàng)目;
5、期滿出站后可申請(qǐng)留校(深)工作并申請(qǐng)深圳市及龍崗區(qū)博士后留深工作的科研補(bǔ)助(20萬(wàn)元/年,資助3年),符合條件者可申請(qǐng)深圳市人才認(rèn)定及獎(jiǎng)勵(lì)補(bǔ)貼(例如深圳市人才獎(jiǎng)勵(lì)補(bǔ)貼160萬(wàn)元,分5年發(fā)放;龍崗區(qū)人才計(jì)劃c類獎(jiǎng)勵(lì)補(bǔ)貼80萬(wàn)元,分5年發(fā)放)(以深圳市和龍崗區(qū)主管部門文件為準(zhǔn))。
6、可落戶深圳市,其配偶及未成年子女可辦理隨遷入戶,學(xué)校建有附屬幼兒園及小學(xué),可解決子女入學(xué)問(wèn)題。
【申請(qǐng)程序】
1.請(qǐng)準(zhǔn)備好完整的中文或英文簡(jiǎn)歷,代表文章 pdf發(fā)送至郵箱:zhangzy@cuhk.edu.cn。郵件標(biāo)題注明:應(yīng)聘崗位+本人姓名。
2.合適者電話面試后,邀請(qǐng)到港中文深圳面試,面試后提交博后工作計(jì)劃,如果合適將發(fā)放offer。
本職位廣告長(zhǎng)期有效
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研究員不受年齡限制,
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