美國南加州大學(xué) Ravichandran教授招聘晶體材料生長/薄膜生長方向博士后

現(xiàn)招2021年博后一名

研究方向：新型硫族材料（emerging chalcogenide materials）

工作地點(diǎn)： 美國洛杉磯

申請(qǐng)條件：

    1. 已獲得或即將獲得材料科學(xué)，物理，電子工程或化學(xué)領(lǐng)域的PhD學(xué)位
    2. 申請(qǐng)者需要展現(xiàn)較強(qiáng)獨(dú)立科研能力，擁有足夠?qū)�科研的熱情和�?dòng)力，以及有能力指導(dǎo)其他較為junior的組員
    3. 申請(qǐng)者需要在以下至少一到兩項(xiàng)領(lǐng)域擁有較豐富的經(jīng)驗(yàn)和實(shí)驗(yàn)技能：
            (a) Single crystal growth
            (b) Epitaxial thin film growth (pulsed laser deposition, molecular beam epitaxy)
            (c) Advanced X-ray, electron and/or neutron based characterization
            (d) Electron transport and microfabrication
            (e) Optical spectroscopy

博后合同長度：一年，根據(jù)表現(xiàn)及funding情況可再續(xù)約一年

博后開始時(shí)間： 2021年8月15日，具體時(shí)間可商議

感興趣及符合條件的申請(qǐng)者請(qǐng)直接用email發(fā)送以下材料到Jayakanth Ravichandran教授處，郵箱號(hào)：j.ravichandran@usc.edu
             1. CV
             2. a brief research statement and career objectives (1/2 page)
             3. a list of three references

更多詳情請(qǐng)參見Ravichandran組的網(wǎng)站： https://alchemy.usc.edu 返回小木蟲查看更多