研究專業(yè)/方向：
微電子學(xué)與固體電子學(xué)/半導(dǎo)體新器件；物理學(xué)/半導(dǎo)體物理

候選人基本條件：
1.在國內(nèi)外知名高校或研究所獲得物理、材料、微電子、電子工程等相關(guān)專業(yè)博士學(xué)位；
2.具有良好的英語讀寫能力，近三年內(nèi)在相關(guān)領(lǐng)域權(quán)威期刊或頂級(jí)會(huì)議發(fā)表過第一作者研究論文至少1篇；
3.熱愛科研工作，具有從事創(chuàng)新性研究的熱情、高度的責(zé)任心、良好的職業(yè)道德和團(tuán)隊(duì)合作精神；
4.年齡在35周歲以下，獲得博士學(xué)位不超過3年；須全職從事博士后研究工作。

候選人附加條件：
優(yōu)先考慮具有以下相關(guān)研究經(jīng)驗(yàn)的申請(qǐng)人
1. 氧化鉿鐵電材料與鐵電器件（FeRAM, FeFET, FTJ）；
2. 納米氧化物薄膜的生長與表征；
3. 半導(dǎo)體器件工藝集成技術(shù)。

崗位職責(zé)：
在黃如院士、唐克超研究員課題組全職從事半導(dǎo)體材料和集成微納電子器件的相關(guān)工作，研究方向包括但不限于：1）高質(zhì)量鐵電材料的生長方法。2）FeFET器件的設(shè)計(jì)，制備和測試。3）氧化物薄膜材料在存儲(chǔ)器件中的新應(yīng)用

薪酬待遇：
基本待遇（包括五險(xiǎn)一金、博士后住房補(bǔ)貼、博士后公寓或租房補(bǔ)貼等）按北京大學(xué)博士后流動(dòng)站相關(guān)規(guī)定執(zhí)行；根據(jù)北京市博士后管理政策辦理有關(guān)落戶事宜。
視申請(qǐng)人背景提供不低于25萬的年薪，并視每年度工作完成情況提供科研獎(jiǎng)勵(lì)津貼。符合條件并申請(qǐng)成功國家“博新計(jì)劃”等博士后項(xiàng)目或北京大學(xué)“博雅博士后”項(xiàng)目者，另享相關(guān)待遇；在站期間取得的學(xué)術(shù)成果享受學(xué)校相關(guān)獎(jiǎng)勵(lì)政策。

申請(qǐng)材料：
申請(qǐng)人簡歷及能體現(xiàn)個(gè)人能力的相關(guān)資料（包括但不限于個(gè)人情況、教育經(jīng)歷、研究經(jīng)歷、科研能力、技術(shù)背景、代表性論文、論文成果目錄等）。
請(qǐng)發(fā)送申請(qǐng)資料至 tkch@pku.edu.cn，標(biāo)題注明“博士后申請(qǐng)+申請(qǐng)人姓名”。

聯(lián)系方式：
唐克超研究員（郵箱：tkch@pku.edu.cn） 返回小木蟲查看更多