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jluxiaoxi

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【答案】應(yīng)助回帖

引用回帖:

Originally posted by yn6319 at 2011-05-17 19:05:38:
https://g.zhubajie.com/urllink.php?id=111328825gkefb7p4miehu9y
這個(gè)光子能量hv是普朗克常數(shù)和光的頻率的乘積，h=4.13*10^-15eV,v是光的頻率，即波長(zhǎng)的倒數(shù)，波長(zhǎng)從300nm到800nm，那么hv怎么得到3點(diǎn) ...

樓主看你就不像做半導(dǎo)體材料的��！“v是光的頻率，即波長(zhǎng)的倒數(shù)”這是火星老師講的吧。你直接算倒數(shù)肯定不對(duì)啊！波長(zhǎng)*頻率=光速啊
還有不用這么復(fù)雜的計(jì)算，有簡(jiǎn)單的公式將波長(zhǎng)、頻率對(duì)應(yīng)的光子能量算出來
E=1024/波長(zhǎng)（nm) eV。1024這個(gè)數(shù)包括普朗克常數(shù)，光速，電子電量的關(guān)系

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11樓2011-05-20 13:36:55

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qfw_68

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【答案】應(yīng)助回帖

切線在橫軸的交點(diǎn)就是帶隙Eg。
Eg＝hν
λν＝c，
其中：h是普朗克常數(shù)；λ是波長(zhǎng)；c是光速。
則:Eg＝hc/λ
所以：Eg(eV)=hc/λ=1.2398/λ(μm)=1239.8/λ(nm)
1.2398一般寫為1.240

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沒有困難創(chuàng)造困難也要上網(wǎng)。

12樓2011-05-20 13:55:21

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lavender_12

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Originally posted by 059070225 at 2011-05-17 19:55:19:
1.這個(gè)圖正確的應(yīng)該是（ahv）^2~hv的曲線圖，
其中a為吸收系數(shù)，a=-1/d*lnT,d為厚度（一般測(cè)禁帶寬度時(shí)，使用的是薄膜樣品，所以d即為膜厚）；
2.圖中的直線并不是直接通過測(cè)試的數(shù)據(jù)得到的，而是先畫出（ahv） ...

你好，我想問一下，a=-1/（d*lnT）還是a=（-1/d）*lnT？
還有測(cè)出來的是T%，那往上述公式里面帶入的時(shí)候是將T值帶入還是將T%帶入？
還有如果測(cè)出來的是吸收值abs（a.u.）那該如何轉(zhuǎn)換為T值？
還有d值我應(yīng)該從哪兒獲得？
謝謝

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13樓2011-06-02 11:25:16

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yanyan008

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哈，如果（ahv）^2~hv曲線圖有2個(gè)斜坡，該用哪個(gè)的切線呢？我是說一開始有個(gè)陡一點(diǎn)的斜坡，然后就變緩了，用哪個(gè)的切線呢？

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14樓2011-06-02 12:16:58

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jluxiaoxi

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【答案】應(yīng)助回帖

引用回帖:

Originally posted by lavender_12 at 2011-06-02 11:25:16:
你好，我想問一下，a=-1/（d*lnT）還是a=（-1/d）*lnT？
還有測(cè)出來的是T%，那往上述公式里面帶入的時(shí)候是將T值帶入還是將T%帶入？
還有如果測(cè)出來的是吸收值abs（a.u.）那該如何轉(zhuǎn)換為T值？
還有d值我應(yīng)該 ...

我看這個(gè)帖子有浮起來了，好奇進(jìn)來再看一眼。呵呵
其實(shí)你不用想這么復(fù)雜的公式，儀器給出的數(shù)你就認(rèn)為它姑且代表這個(gè)含義吧，特別是縱坐標(biāo)，他不會(huì)影響你的最終結(jié)果，只是一個(gè)相對(duì)標(biāo)尺而已。
簡(jiǎn)單的做法：
1.把反射普數(shù)據(jù)導(dǎo)入origin
2.對(duì)兩欄的數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算，col(c)=1240/col(a)設(shè)置為X軸，col(d)=(col(b)*1240/col(a))平方，設(shè)置為y軸
3.用c,d兩欄數(shù)據(jù)作圖就OK了
前面的回帖打字忘了，把1240打成1024了，這兩個(gè)數(shù)對(duì)我的敏感度一樣抱歉

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15樓2011-06-02 12:22:33

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引用回帖:

Originally posted by jluxiaoxi at 2011-06-02 12:22:33:
我看這個(gè)帖子有浮起來了，好奇進(jìn)來再看一眼。呵呵
其實(shí)你不用想這么復(fù)雜的公式，儀器給出的數(shù)你就認(rèn)為它姑且代表這個(gè)含義吧，特別是縱坐標(biāo)，他不會(huì)影響你的最終結(jié)果，只是一個(gè)相對(duì)標(biāo)尺而已。
簡(jiǎn)單的做法：
...

這樣作圖的話，只是得到了（ahv）^2與hv曲線圖，然后模擬了之后，得到一個(gè)函數(shù)，然后還要求拐點(diǎn)？做通過拐點(diǎn)的切線？然后此切線與橫左邊的交點(diǎn)才是所求的值？
那么是怎么求拐點(diǎn)的？

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16樓2011-06-03 21:27:33

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059070225

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【答案】應(yīng)助回帖

引用回帖:

對(duì)您所提的問題回答如下：
1.a=-(1/d）*lnT；
2.如果測(cè)出來的是T%，應(yīng)該直接以T%值代入公式，比如說T%=80%，代入公式時(shí)就應(yīng)該以0.8代入而不是80；
3.如果測(cè)出來的是吸收值abs（a.u.），不需要轉(zhuǎn)換成T值計(jì)算，直接代入公式：a=（2.303*Abs）/d，d為厚度，計(jì)算就可以了；
4.如果你的樣品是薄膜，厚度d可以通過SEM測(cè)斷面圖來得到；如果是粉末的話，就只能估計(jì)一下了，很難測(cè)準(zhǔn)；如果是液體的話，d就是比色皿的厚度；建議以薄膜的形態(tài)來測(cè)；
希望解答能對(duì)你有所幫助O(∩_∩)O~

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17樓2011-06-07 18:04:55

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qianshou

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【答案】應(yīng)助回帖

還要考慮半導(dǎo)體是直接帶隙還是間接帶隙,否則結(jié)果是錯(cuò)的,上面的回答不太全面,建議找一個(gè)這方面的書看看,

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18樓2011-06-08 08:17:40

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引用回帖:

Originally posted by 059070225 at 2011-06-07 18:04:55:
對(duì)您所提的問題回答如下：
1.a=-(1/d）*lnT；
2.如果測(cè)出來的是T%，應(yīng)該直接以T%值代入公式，比如說T%=80%，代入公式時(shí)就應(yīng)該以0.8代入而不是80；
3.如果測(cè)出來的是吸收值abs（a.u.），不需要轉(zhuǎn)換成T值計(jì)算 ...

謝謝回答的這么詳細(xì)。
不過由于樣品室粉末，所以，d值就沒法測(cè)算了。
還想問一下T%和abs(a.u.)是這樣的關(guān)系嗎，T%=(100-abs(a.u.))%?

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19樓2011-06-08 10:43:47

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Originally posted by qianshou at 2011-06-08 08:17:40:
還要考慮半導(dǎo)體是直接帶隙還是間接帶隙,否則結(jié)果是錯(cuò)的,上面的回答不太全面,建議找一個(gè)這方面的書看看,

我想問一下我怎么判斷我所測(cè)的半導(dǎo)體是直接帶隙還是間接帶隙？或者我應(yīng)該去找哪本書看？能不能推薦一本書？有木有具體的書名啥的？謝謝

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20樓2011-06-08 10:46:23

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