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3樓: Originally posted by yswyx at 2014-12-30 17:08:45
用HF腐蝕出一個(gè)臺(tái)階出來。
最好是光刻以后再腐蝕，因?yàn)锳FM的掃描面積很小。

謝謝，你們指的AFM掃描面積小是什么意思？我們應(yīng)該只要找到有膜和無膜的邊界處就行了吧，這個(gè)邊界不是很大吧？

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11樓2014-12-31 18:08:54

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4樓: Originally posted by 石銀東 at 2014-12-30 17:20:12
確實(shí)AFM的掃描面積很小，用來測(cè)量厚度確實(shí)有點(diǎn)不太方便，其實(shí)，你只是單純的測(cè)量厚度的話，有很多不同儀器、不同的方法進(jìn)行測(cè)試，而且測(cè)量比較快，操作簡單，都能夠測(cè)量納米級(jí)別的厚度。
比如薄膜測(cè)厚儀運(yùn)用光學(xué)的 ...

感覺現(xiàn)在的高端文獻(xiàn)比如石墨烯都是用AFM測(cè)得。所以我在想能不能用AFM測(cè)我基底上二氧化硅厚度。

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12樓2014-12-31 18:10:13

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6樓: Originally posted by 落地陽光 at 2014-12-31 10:27:18
個(gè)人感還是用臺(tái)階儀比較好。。

請(qǐng)指教，它比AFM好在哪？我現(xiàn)在就是制樣碰到點(diǎn)問題。怎么制作一個(gè)有膜跟無膜的邊緣區(qū)域。

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13樓2014-12-31 18:11:00

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【答案】應(yīng)助回帖

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不清楚樓主生長的方式，比如蒸發(fā)之類的，如果生長的時(shí)候就能用膠帶貼在硅板上再去生長氧化硅，之后在揭下來會(huì)不會(huì)更方便。

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14樓2014-12-31 20:42:31

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【答案】應(yīng)助回帖

感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1

光刻空，然后afm測(cè)。但也存在誤差，類似的我做過

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15樓2015-01-02 01:39:36

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15樓: Originally posted by 東環(huán)小苦逼 at 2015-01-02 01:39:36
光刻空，然后afm測(cè)。但也存在誤差，類似的我做過

是不是用利用光刻腐蝕掉一個(gè)區(qū)域，然后在AFM下找到有二氧化硅和無二氧化硅的邊界就可以量出厚度了？

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16樓2015-01-03 12:53:29

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16樓: Originally posted by glorylin at 2015-01-03 12:53:29
是不是用利用光刻腐蝕掉一個(gè)區(qū)域，然后在AFM下找到有二氧化硅和無二氧化硅的邊界就可以量出厚度了？

...

用針劃下就可以，這樣還比較容易在AFM的光學(xué)顯微鏡下找到劃線位置，然后再用AFM掃就可以了

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17樓2015-01-03 19:44:54

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...

嗯但是區(qū)域一定要做好標(biāo)記，AFM測(cè)試區(qū)域不能太大，而且速度也不快

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18樓2015-01-04 10:46:30

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如果是玻璃基底或者硅片基底，HF會(huì)腐蝕基底的，估計(jì)測(cè)不準(zhǔn)。其實(shí)測(cè)透過率也是可以測(cè)厚度的，就是橢偏儀或者光譜儀，10納米有點(diǎn)薄，但應(yīng)該可以算出來。用光刻做臺(tái)階也是一種方法，總比貼膠帶要好一點(diǎn)。或者掰斷了去測(cè)SEM，這個(gè)比較準(zhǔn)確了！10納米對(duì)臺(tái)階儀而言，比較薄，測(cè)不準(zhǔn)的誒！SIO2你放心大膽的用針劃，劃不破的！

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19樓2015-01-04 16:42:12

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18樓: Originally posted by 東環(huán)小苦逼 at 2015-01-04 10:46:30
嗯但是區(qū)域一定要做好標(biāo)記，AFM測(cè)試區(qū)域不能太大，而且速度也不快
...

就是用針劃可以，用光刻也可以是吧。哪種方法比較好

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20樓2015-01-04 23:09:33

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