分子中電荷變化種種
分子中電荷變化種種
Zhou2009
一、說在前面:
對大量的應用者來說,學了、算了、用了量化,日益繁雜、玄而又玄的量化計算,從宏觀來看在作什么呢?
其實,量化計算,是在作當一些原子組成化學體系(分子)時,對于一個給定的原子核空間排布,如何安排電子使這個體系能量最低。
DFT自然是這樣,它開宗明義就是電子密度的泛函,在算電子密度,認為化學體系的所有性質(zhì)都與體系的電子密度分布有關(guān),也即通過化學體系的電子密度可以計算該體系的一切性質(zhì)。DFT的初始電子密度來自體系的初始電子波函數(shù),最終體系能量最低的結(jié)果表達也仍然可以回到電子波函數(shù)。總之是在安排電子。
RHF雖然在反復自洽計算化學體系的電子波函數(shù)并求得能量,但這波函數(shù)可以通過Ψ*Ψ=ρ成為電子密度,產(chǎn)生電子在原子核空間密度分布,選定、確定能量最低時對應的波函數(shù)。也是在安排電子。
Ψ*Ψ=ρ天才地溝通了電子的波粒二象性:Ψ是波,ρ是粒子。
對于化學體系,Ψ是實函數(shù),即Ψ^2=ρ。在gaussian或multiwfn算Ψ的cube時,一個格點一個離散的Ψ值,將Ψ平方,就得到ρ的值了,所有的Ψ平方,就得到ρ的cube了。
通過Ψ,我們可以看到原子組成分子時電子作為波是怎樣發(fā)生作用的,波的相位起主要作用。波發(fā)生作用之后形成的ρ,是在原子核空間排布的電子密度分布,也是DFT所說的電子密度。
ρ是幾率密度,它是某格點處單位體積中電子出現(xiàn)的量,它乘以某格點處的一個微體積元dv,就是在這個微體積元中找到電子的幾率ρdv。將空間各個微元的幾率加和∫ρdv,就是電子數(shù),或說電荷數(shù),它歸一或歸N。
在cube中ρ的值已經(jīng)離散化了,如果只將空間的某一個圈定的空域的幾率加和起來,就是這一圈定的空域的電荷量。Sobereva說將在Multiwfn的3.0版可以對這種圈定的空域作電荷量的計算,即盆積分(basin integral)。
上面重溫這些基本概念,是想強調(diào)電子密度ρ乃至波函數(shù)Ψ,都是對于一個給定空間排布的原子核如何安排電子?梢姦凡皇菫榱耸贵w系能量最低而選取的抽象數(shù)學函數(shù),而是在嚴格、精細地安排電子,而且用電子密度ρ表達能量最低時電子在空間的分布,以此來接近真實地反映、描述客觀存在。只有這樣才能夠進一步分析分子中電荷變化種種細節(jié),對圈定的空域作電荷量計算才是有意義的。
電子密度ρ以及由它算出的電荷,其細節(jié)是反映客觀存在的。當然由于采用方法的水平、基組的大小,ρ及電荷反映客觀存在的精確水平是有差別的。正是因為ρ及電荷計算的合理、精確,才能得到合理、精確的能量和Ψ!
以耦合簇為代表的多種量子化學方法,精確地考慮、計算了電子相關(guān),不僅采用大型的基組,盡可能寬廣地、精細地提供由原子到分子電子密度變化所需要的基函數(shù)空間(足夠的極化和足夠的彌散),而且更進一步開放了所有的軌道能級,使變化的電子可以在更高的軌道以小分數(shù)占據(jù),給電子密度變化以更高的能級空間,以充分表達形成分子過程中引起的體系電子密度變化。
雖然,我們目前還不能把這種電子密度ρ(以及電荷)分布的具體數(shù)值作為一種物理量測定出來,量化計算的輸出結(jié)果中,電子密度ρ(以及電荷)與Ψ(MO)一樣,仍是一個真實可信可用的原生態(tài)、最基本數(shù)據(jù)。
現(xiàn)在電荷數(shù)據(jù)存在的諸多問題,是人們進一步從電荷布居加工計算電荷的方法不當引起的。本來ρ是一個給定原子核空間排布的電子分布,硬是按經(jīng)驗習慣把它們劃歸各個原子就出問題了,如經(jīng)典的Mulliken atomic charges,以前曾發(fā)帖討論過它的種種失誤。
這里需要進一步強調(diào)的是,任何由原子到分子的化學變化、乃至準化學變化,都必定會引起體系的電子密度ρ和波函數(shù)Ψ的變化。反過來說,沒有脫離ρ和Ψ的化學變化、準化學變化,ρ和Ψ的變化,就是化學變化、準化學變化的全部!
這里說的由原子到分子的化學變化,指所有形式的化學成鍵(共價鍵、離子鍵、金屬鍵、配位鍵、氫鍵,乃至范德華作用等),準化學變化指原子的電子云球發(fā)生碰撞而變形,此后或發(fā)生化學變化、或彈開恢復為獨立的自由原子。
基于這種認識,我在對惰性氣體雙原子準分子作量子化學計算、作出電子密度差Δρ之后,認為從Δρ的變化看到了ρ的精細變化信息、看到了范德華作用的量子化學具體圖景。Ρ和Ψ的變化,就是化學變化、準化學變化的全部,此外沒有什么變化是一種范德華作用、是一種化學作用。
我在前帖“關(guān)于電子密度差種種” (http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=3043547)中曾就各種類型的電子密度差Δρ作了一個羅列,不同的Δρ具有不同的意義和應用。
然而,我們還可以從另一種角度,來看一下這Δρ之中密度凈變化的種種情形,以便深入研究Δρ變化的各種特點。
從作Δρ的經(jīng)驗來看,Δρ的電子密度凈變化,可以舉以前算過的例子羅列如下:
其一,電荷由四周向成鍵原子之間收縮轉(zhuǎn)移。
其二,電荷從某處轉(zhuǎn)移到另一處。
其三,電子由一個原子向另一個原子的空軌道處配位。
其四,氫鍵。
一個復雜的分子總是兼有這樣一些最基本、基元的情形。
有時,將電子密度差之凈變化,通俗說成是電荷凈變化了。
通常憑直覺,對分子中電荷從A原子轉(zhuǎn)移到B原子,會想當然地認為A原子既然失去了電荷,它的電子密度ρ必定會變小,其實,從Δρ揭示的情況看,并不是這樣簡單!
本帖將通過Δρ的展示,分析分子中ρ的變化細節(jié),并分析這樣變化的原因。
本帖用Gaussian09計算,用Multiwfn 2.5進行數(shù)據(jù)處理,用Gaussview 5作圖。當電荷和能量數(shù)值不標出單位時是a.u.。
二、電荷由四周向成鍵原子之間收縮轉(zhuǎn)移
這種情況,以H2為例作電子密度差Δρ最適合,它是H2分子與兩個自由H原子電子密度差。因為這里只形成了共價鍵,而沒有原子之間的電荷轉(zhuǎn)移。
在分子中形成共價鍵、有共價鍵成分的所有情形,都可以看到這種基元圖形。
計算用幾種方法和基組都算了,如HF/6-311++G**與CCSD/aug-cc-pVTZ density,二者在電子密度差Δρ的圖形上基本一致,圖1來自后者。
將在Multiwfn得到的Δρ的cub文件進入Gaussview作圖時,不能選擇做等值面圖,因為這樣看見的只是一個負值的外殼,內(nèi)部變化看不見。而要選擇做截面等值線。
圖 1
圖 2
圖1等值線的起始值取±0.0004。紫色為正,是電子密度增加區(qū)域,增加電荷量記為+0.25038;青蘭色為負,是電子密度減少區(qū)域,減少電荷量記為-0.25027。
圖1這樣一個圖形告訴我們什么呢?如何解讀這個圖形呢?
第一,電荷由四周向成鍵原子之間收縮轉(zhuǎn)移了。
由于中間部位的電子受兩個原子核共同吸引,這里的電子密度顯著增加了,而周邊密度,特別是健軸方向的兩邊更加顯著地減少了,電荷中移了。這是共價鍵、有共價成分鍵的共同特征,在分子中具有普遍意義。
當然這種健軸上的密度增加,也是兩個H的球形的電子云融合成一個橢圓球,需要填平二球之間的電子云不吻合、比較稀缺的部分,成為統(tǒng)一的橢圓球整體形成的。
第二,值得深入觀察的是,既然電子往中間濃集了,電荷中移了,健的外圍必定電子要顯著減少,圖1正展現(xiàn)了這樣的情景。但是它又不像圖2那樣表現(xiàn)為純粹的二H電子減少電子往中間聚集。圖2是用HF/STO-3G計算的,等值線的起始值也取±0.0004。
比較圖1、圖2,雖然都體現(xiàn)了電荷中移,但是有一個顯著的差別:圖1,H處于電子濃集增加區(qū),圖2,H處于電子稀散減少區(qū)。
圖2表明,由于電子往健中間濃集中移,而基組STO-3G只是一個單純的1S軌道,它只能反映H上的電子純粹的凈減少。
而圖1表明,電子往健中間濃集中移引起H處電子減少,使得H處剩余電子因電子減少而受到核的吸引力有所增強,H處剩余電子會收縮,電子密度反而增加,所以H處于電子濃集增加區(qū),與健中間的電子增加融為一體。
圖1所用的大基組,足以用來反映H的外圍電子減少、向健中間聚集,而剩余電子又向核收縮、濃集這樣的完整信息。
這在分子中具有普遍意義,即當一個原子因各種原因失去部分電子時,剩余電子所受到的吸引力會增強,從而使得剩余電子向核收縮、電子密度提高。
第三,在H2分子中,雖然二H之間沒有電荷轉(zhuǎn)移,但電子卻向健中間聚集發(fā)生了中移,二H處電荷總共減少了0.250,每個H減少的電荷為0.125。電荷中移使H原子仍然失去部分電子,電子對核屏蔽減弱,使得電負性升高,能級降低。
我們通常一談到原子、分子片之間成鍵,自然而然地就將新成鍵的能級,往下畫一個比成鍵雙方能級低得多的能級,而不是二者的平均。這就是電子中移,導致雙方失去部分電子,能級降低的結(jié)果。
現(xiàn)在,我們不僅從計算得到了能級下降的數(shù)據(jù),而且通過Δρ圖真切地看到了電子中移、電子缺失,使原子成鍵后形成的能級大大下降的實體形象、具體的物理機制。
本來我們現(xiàn)在已經(jīng)有了圖1這樣展示的電子云空間分布變化的詳細圖景,但是經(jīng)典的Mulliken atomic charges,即凈電荷,卻將中間電荷平分給二H,使H的凈電荷為0,太粗簡了,反而抹去了豐富的信息。
第四,MO圖和ρ圖,是用來描寫MO和ρ客觀存在的具體形象的,它可以說是MO和ρ存在的某種近乎真實的寫照。粗略地說它倆就是這個樣子!
但是Δρ呢?圖1呢?
我們打個比方:兄比弟大3歲,這個3歲之差,就像是Δρ,它是一個差值,它當然是客觀真實存在的!兄、弟都是真實存在著實體,但是并沒有什么“3歲”這個實體、對應物存在,也即并沒有Δρ的實體、對應物真實地在那里存在,Δρ只是一種兩種客觀存在實體的差值、科學抽象,圖形也只是這科學抽象的形象展示而已,不能認為它就是實體的形象。
關(guān)于這個問題的討論見以前的帖子:《關(guān)于電子密度差Δρ》
http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=1653436
三、分子中電荷從某處轉(zhuǎn)移到另一處的情形:
這種情況,可以HF分子為例作電子密度差Δρ。這里在形成了共價鍵的基礎(chǔ)上,同時有原子之間的電荷轉(zhuǎn)移。
采用HF/6-311++G**計算的結(jié)果。各MO一目了然。
對于這個分子,沒有采用HF分子與自由H、F原子作電子密度差。因為HF分子成σ鍵的軌道只是分子的第3個MO,其它都只是沒有參加成鍵的F的內(nèi)層和孤對電子軌道。
圖 3
于是只用HF的MO3軌道的電子密度,減去自由F原子的那個單電子軌道(也是MO3)電子密度和自由H原子軌道電子密度,作電子密度差Δρ圖,見圖3。等值線的起始值取±0.0004。增加電荷量記為+0.5722;減少電荷量記為-0.5680。
對于成鍵來說,基組是為了均恒不同原子能級或電負性的差距、彌合AO的波形的不吻合,以便融合成平滑、完整、均恒、統(tǒng)一的MO,應對鍵間電子向鍵軸的聚集、收縮。
基組不只是計算需要的一組數(shù)學表達式,當它們分配了系數(shù)、也即安排了電子,它就形成了一個新的廣義雜化的空間。AO或MO,是具有能級值或說是電負性的,它是電子的載體、存在空間。
從圖3看,在H和F之間也有明顯的電子中移,這與H2分子的情形完全一樣,它同樣會造成H和F的電子因中移而有所缺失,這從中移的電子增值兩邊同樣有月形的減少可以看出來。只要成鍵,這種電子中移而使成鍵雙方缺失電子是普遍存在的,同時形成剩余電子向核收縮,電子密度提高,能級降低。
從圖3還可以看到,H缺失了大量的電子,導致剩余電子收縮、電負性升高;F增加了大量的電子,導致電負性降低,直至二者電負性相等、均恒。從圖3的Δρ,對各部分不同性質(zhì)的電荷進行分布加和,推算H向F的電荷轉(zhuǎn)移量為0.3644。
有趣的是,通常說sp雜化,想當然地認為會用增大的一瓣去成鍵以增大重疊能力。但在HF中,MO3的基組中s、p卻是反位相地雜化,即F以縮小的一瓣去成鍵,而用增大的一瓣去裝轉(zhuǎn)移過來的過多電子,這轉(zhuǎn)移電子妥善安排在離鍵遠的外面集結(jié),以減少電子之間的排斥。電子排斥使得電子盡可能安排得彼此遠離一些,這也是分子電子結(jié)構(gòu)的普遍規(guī)律。
四、電子由一個原子向另一個原子的空軌道處配位
在以前計算過的甲基咪唑(簡記為NN)與鎂卟吩(簡記為MN)的作用中,咪唑上N上孤對電子向Mg配位可以作為一例。采用b97d/6-31+g(d) 計算的結(jié)果。
詳見《關(guān)于鎂-卟吩的量化計算及圖形解析》
http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=2934808&fpage=2
這里是用MNNN與MN、NN的全電子密度作的Δρ。看自由的NN與自由的MN生成MNNN后,電子密度發(fā)生了什么變化。重點是用局部特寫看咪唑上N的孤對電子向Mg配位,圖4是等值面圖,等值面取值0.001,圖5是相應的截面等值線圖,等值線起始值0.0004。
圖4、圖5清晰地展示了NN向Mg的方向提供了電荷,即N∶孤對電子向Mg配位。
本來,在這里N∶孤對電子指向Mg,而Mg朝向N處則是個空間,而且由于Mg與MN上的4N相連成鍵,Mg因電負性小,電荷偏向4N(及其后的環(huán)),Mg朝向N∶處形成一個低能級的空間,可以接受N∶的配位。
圖 4
圖 5
在MN-NN的計算中,N∶孤對電子向Mg配位,N∶要延伸到Mg朝向N的低能的空間,它除了由N∶形成一個基組來表達這種孤對電子延伸外,也給Mg分配了一個基組來實現(xiàn)對這孤對電子延伸的承接,F(xiàn)在要讓N∶→Mg形成配位,要抹平這兩個基組的交界,于是我們看到N∶、Mg之間有一個較大的密度增值區(qū),反映了這種配位鍵也是共價性質(zhì)的。
N∶孤對電子,本來是一個P型軌道,經(jīng)過大量基組的組合、雜化、校正,朝向Mg的一瓣大大發(fā)展、延伸了,電子密度也隨之增加了。背向Mg的一瓣大大縮減、收縮了,電子密度也隨之減少了。
這里值得注意的是,為什么向著N∶的Mg周邊也減少了密度呢?這里本沒有電荷是虛位以待的呀?還說N∶延伸過來了?可以認為,MN的大π共軛環(huán)上的4N,它們的π共軛的一端是頭對頭地朝向N∶的,這連成一體的π共軛實際上是有點彌漫在Mg的那個低能的空間的,是有點遮蔽著Mg的。N∶向Mg畢竟是孤對電子延伸,這會給這彌漫遮蔽過來的π共軛4N電子以排斥力,可以看到此圖Mg的周邊電子密度都減小了,受到強的排斥。
全電子密度的MNNN與MN、NN之差,突出地表現(xiàn)了配位時孤對電子發(fā)生的變化,以及所引起的微瀾。而變化不大的剛性骨架電子密度被基本抵消了。
圖 6
圖 7
五、氫鍵
以前計算過的二聚水(H2O)2可以為例。詳見《從量子化學圖形解讀CH2O電子結(jié)構(gòu)》
http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=1861971
對(H2O)2和兩個自由H2O分別進行了計算,使用gaussian 09量子化學程序,采用HF/ 6-311++G**基組。
從二聚水的優(yōu)化結(jié)構(gòu)圖看,是水-1的O原子lp(孤對電子)作為電子給體,水-2的HO作為電子受體,形成氫鍵。
這里,需要從MO談起。計算出的二聚水有十個MO,MO9正是一個水的O原子lp延伸成為了氫鍵軌道。這個MO9可以作圖如圖6。等值面取0.02。鐵紅、深綠代表MO不同的相位。
可以對氫鍵二聚水生成前,水-1的O原子的lp即HOMO,與水-2的LUMO進行比較,因為正是這個HOMO的電子要有一點給于LUMO。
作為水-1的lp的HOMO,它的相位自然是典型的P型軌道,有正負對稱的兩瓣。
水-2的LUMO怎樣形成一個與lp對稱性相同的軌道而起作用呢?
從LUMO的基組看,這時是H-O中的原子各出一個S型軌道,O是5S,H是4S,且一正一負,構(gòu)成一個相位與P型軌道相同的LUMO,從而實現(xiàn)HOMO與LUMO的給于,實現(xiàn)電子lp少量轉(zhuǎn)移,降低能量,形成氫鍵。
然而,自由水-1的lp即HOMO能級為-0.51095,而水-2的LUMO能級為0.04366,怎么能說電子流向低處呢?
要知道,雖然這個LUMO稱為空軌道,但它的能級值,卻是設(shè)想占有一個電子時計算出的能級值,由于它是一個反鍵軌道,如果真占有電子是會拉開H-O鍵的。
因此我們應該這樣來想像:H-O作為一個σ鍵,能級是很低的,其上電子緊縮,它周邊的靜電勢是高的,LUMO在真沒有電子時是緊貼在σ鍵外圍空間的,也是低的,比水-1的lp即HOMO能級還低。當HOMO流出電子能級降低,LUMO得到電子能級升高,直至達到能級均恒,融合成統(tǒng)一的MO。能級的高低,是驅(qū)動電子流動的動力,直到能級均恒,或說電負性均恒。
仔細觀察MO9(圖6),雖然這左右兩邊在對稱性上是相符的,可是卻發(fā)現(xiàn)在氫鍵上的O……H原子之間的相位卻是相反的,即轉(zhuǎn)移電子并不在原子之間聚集,而是在O……H原子之間有節(jié)面,即不構(gòu)成共價鍵的性質(zhì),僅是靜電引力性質(zhì)的,這與歷來認為氫鍵是靜電引力相符。從另外作的一些lp電子這類轉(zhuǎn)移看,如在甲醛CH2O中O的lp電子反饋到CH2上,相位也是相反的。
這說明lp電子保留著它不參與成鍵的“孤對”、非鍵電子的本性。只是轉(zhuǎn)移到低處降低了能量而已。
二聚水的Δρ,應是MO9的ρ與自由水-1的lp的ρ之差。見圖7。等值面取值0.006。紫色代表電荷增加的區(qū)域,果綠代表電荷減少的區(qū)域。
這個圖簡單明了地展示了電子的轉(zhuǎn)移情況,就是水-1的lp的電子凈減少了,電子跑到水-2的H—O那一邊了,這里是電子凈增加,原先是空的,這反映了氫鍵的根本內(nèi)容。
這種電子轉(zhuǎn)移,仍然保留著它作為p型軌道的形象,只是現(xiàn)在是電子,沒有了波函數(shù)的相位了。
從量化計算結(jié)果來看,把氫鍵看作是O……H—O要比僅看作是O……H更符合客觀事實。
六、考慮電子相關(guān)與否的比較
可以用HF/aug-cc-pVTZ計算一個H2的Δρ,見圖8,等值線起始值0.0004。來與CCSD/aug-cc-pVTZ density作比較,它們的基組是一樣的,只是后者考慮了電子相關(guān)。
比較圖8和圖1,它們看起來一模一樣,些微的差別用肉眼看不出來。
這時,可用圖8的健長,用CCSD/aug-cc-pVTZ density也算一個H2的Δρ,用HF方法計算的Δρ減去CCSD計算的Δρ,看差別,見圖9,等值線起始值0.0001。
圖 8
圖 9
HF算的Δρ中移了電荷約0.250,CCSD算的Δρ也中移了電荷約0.250,二者是相當?shù)摹?br /> 圖9與圖8對照可以看到,圖9的H處于電子減少核心區(qū),表明圖9只是反映二者電荷中移的電荷變化有所不同,它展示了考慮電子相關(guān)與否的差別
在圖9,HF的Δρ比CCSD的Δρ,電子更往中間濃集中移了,二者相差電荷為±0.01333。這說明,在HF的Δρ中,中間電子密度安排得偏高。
HF算的H2總能量為-1.133056, CCSD算的總能量為-1.172587(為了比較取的HF法相同鍵長,尚不是CCSD算的優(yōu)化鍵長),而H2總能量實驗值為-1.174。可見由于沒有考慮電子相關(guān),HF將鍵中間的電子密度安排得偏高,以至電子排斥偏高,使得體系總能量也偏高。
還可以用HF算H2的wfn,在Multiwfn中與CCSD算H2的wfn相減,求得二者的Δρ,相同的量都相消了,Δρ結(jié)果只是在核間排布電子的密度上有差別,這樣得到的Δρ與圖9沒有絲毫差別!
當然,分子涉及的電子種類多起來時,有原子間電荷轉(zhuǎn)移時,這種通過圖形比較變得復雜,不像H2的圖像這么單純,需要細心推敲解析。
2012/12/31[ Last edited by zhou2009 on 2013-4-20 at 08:01 ]
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您好,讀了您的帖子,深感受益匪淺,但我按您的方法畫了一個分子的激發(fā)態(tài)和基態(tài)的密度差圖,卻總是不對,這個問題已困擾我有半年之久,卻始終沒有解決,因此想向您求助,希望您能抽出寶貴的時間看看我畫的圖出錯在哪?謝謝。我的qq:1832758999,郵箱:wangxiaoou2011@126.com,