中物院微太中心MT03室招聘集成電路、宇航級微波器件電路、三維微系統(tǒng)封裝集成和高頻集
一、單位簡介
中國工程物理研究院(簡稱中物院)創(chuàng)建于1958年,是國務院計劃單列單位,科研基地主體位于四川省綿陽市科學城。
中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心(簡稱”中物院微太中心”),主體位于成都“銀河596科技園”,成立于2014年,前身是成立于2011年的中物院太赫茲研究中心,是隸屬于院的事業(yè)單位,掛靠中物院電子工程研究所。中物院微太中心MT03室主要開展太赫茲應用技術、高頻微系統(tǒng)科學與技術研究等。
二、應聘要求
1、招聘對象:應屆或有工作經驗的非應屆畢業(yè)生,有工作經驗的非應屆畢業(yè)生適當優(yōu)先考慮。
2、學歷要求
碩士:本碩均為985院校,英語六級。
博士:本碩均為985院校,博士在985院;蛑锌圃貉芯肯到y(tǒng)的院校,英語六級。
3、專業(yè)要求
微電子與固體電子學、電路與系統(tǒng)、電磁場與微波技術、集成電路設計、微系統(tǒng)工程、雷達工程、通信與信息系統(tǒng)等相關專業(yè)。
4、技能要求
1) 集成電路設計方向(博士)
工作職責:基于GaAs/lnP工藝的片上鎖相環(huán)(VCO、分頻器、電荷泵)電路和射頻前端模塊設計(LNA、Mixer、PA、濾波器)。
a) 具有扎實的半導體器件和電路基礎理論知識;
b) 熟悉射頻、微波集成電路模塊基本原理、設計技巧及關鍵參數;
c) 熟練應用ADS/Cadence/HFSS進行電路設計驗證;
d) 具有較強科研能力與吃苦耐勞精神,在國際學術期刊上發(fā)表過較高水平的學術論文;
e) 具有基于GaAs/lnP工藝的鎖相環(huán)集成電路設計經驗者優(yōu)先。
2) 宇航級微波器件與電路方向(碩士、博士)
工作職責:設計宇航級太赫茲/毫米波電路,分析和測試電路可靠性,提出符合航天標準的工藝流程。
a) 掌握半導體器件、微波電路和材料學相關知識,有毫米波/太赫茲電路(如倍頻器、混頻器等)設計經驗者優(yōu)先;
b) 了解宇航級毫米波、太赫茲電路產品質量體系,有電路可靠性(高低溫、震動、抗老化等)研究經驗者優(yōu)先;
c) 能熟練使用 ADS、HFSS、ANSYS熱/應力分析等相關專業(yè)軟件;
d) 能熟練撰寫科研報告和技術文檔,具有良好的英文書寫及聽說能力;
e) 具有良好的溝通能力,善于團隊協(xié)作,工作認真仔細。
3) 三維微系統(tǒng)封裝集成方向(碩士、博士)
工作職責:提供射頻前端封裝集成工藝解決方案,通過先進工藝實現射頻前端的三維集成。
a) 對基本封裝概念和封裝材料有深刻的認識,具有三維封裝微納連接工藝經驗以及封裝可靠性設計與測試經驗,熟悉T/R組件的SiP高頻封裝設計優(yōu)先;
b) 熟悉ADS,HFSS,ANSYS和Cadence等電路、EM、多物理場和SiP仿真工具,了解射頻和微波電路和信號完整性;
c) 能熟練撰寫科研報告和技術文檔,具有良好的英文書寫及聽說能力;
a) 具有良好的溝通能力,善于團隊協(xié)作,工作認真仔細。
4) 高頻集成電路元器件建模方向(碩士、博士)
工作職責:完成化合物工藝元器件的在片測量表征、高頻模型、可靠性模型建模提參等。
d) 掌握高頻集成元器件、電路、系統(tǒng)相關知識;
e) 具有GaAs,GaN等化合物工藝相關器件物理知識;
f) 熟練使用射頻測試儀器(網絡分析儀、半導體參數分析儀、探針臺等)完成器件表征測試;
g) 使用建模工具如ICCAP,電路仿真工具如Virtuoso/ADS;
h) 加分項:有使用Angelov/EEHEMT等模型建模的經驗;GaAs、GaN等化合物工藝流片的設計經驗;熟悉Momentum /HFSS/Sentaurus/Python/MATLAB/VerilogA等工具;電子器件老化、可靠性模型、統(tǒng)計分析、實驗設計等經驗。
三、薪酬福利
1、解決事業(yè)編制,提供成都地區(qū)具有競爭力的薪酬福利體系,提供五險一金,提供全新精裝修職工周轉房。
2、中心實行每日8小時、每周雙休工作制,并為員工提供各種法定假期,享受每年15天帶薪休假。
3、工作地點:成都——中物院成都基地。
4、中心負責面試來往路費(臥鋪標準)及住宿。
四、聯(lián)系信息
mtrc03@outlook.com,請在郵件主題注明基本應聘信息(姓名-畢業(yè)院校-學位-專業(yè)-應聘方向)。
返回小木蟲查看更多
京公網安備 11010802022153號
支持
,
好