研究方向:
氮化鎵半導體光電器件的微納制造、光電器件集成的設計、制造與應用。

應聘要求:
-博士后崗位
1) 近3年內(nèi)已獲得光學、物理、材料、電子等專業(yè)博士學位或已取得被授予博士學位的資格，年齡在35周歲以下；
2) 熱愛科學研究、勤奮努力、具有主動性、強烈的進取心；
3) 能夠熟練使用英文進行交流，能夠完成研究論文的撰寫；
4) 在國內(nèi)外刊物以第一作者身份發(fā)表過較高水平科研論文；
5) 鼓勵開展具有創(chuàng)新性的其它方向的理論與實驗方面的研究工作;
5) 具有半導體器件工藝經(jīng)驗經(jīng)歷者優(yōu)先考慮。

崗位待遇:
1）參照《南科大博士后管理辦法》及深圳市相關人才引進條例，年薪30萬元（含市政補貼稅后18萬元/年）；提供2800元/月住房補貼（如戶口遷往深圳，還可額外獲得政府免稅住房補貼3萬元），餐補220元/月。優(yōu)秀者可申請校長卓越博士后，年薪35萬/年。
2）享受正式教職工待遇（（含伙食補貼、節(jié)日補貼、工會福利、計生補貼、體檢等等）；
3）可作為負責人申請博士后科學基金、國家自然科學基金及省、市各級課題；
4）出站留深工作滿3年，符合深圳市后備級條件的可獲160萬元的住房補貼和可申請30萬元rmb科研啟動經(jīng)費；
5）海外博士符合條件者可以申請深圳市孔雀計劃160萬住房補貼；
6）學校為每位博士后提供每兩年2.5萬元的學術交流資助。

Post-Doc opening

Application is invited for a post-doc opening in the area of optoelectronic device and integration. Specifically, the candidate should show interest and preferably experience in one of the following research areas:

- monolithic Integration of GaN devices
- micro- and nano-patterning of GaN devices
- microcavity semiconductor lasers

The candidate should have a PhD in electrical and electronic engineering, or equivalent (such as mathematics and physics). A competitive salary commensurate with qualifications and experience will be offered, in addition to benefits. Interested candidates may send their CVs to me at khli@sustech.edu.cn.

導師主頁：
https://khli-sustech.sxl.cn

申請材料：
詳細的個人簡歷，含學習、工作和科研的經(jīng)歷，主要科研成果（如論文論著、成果證書或獎勵），及其他可以證明工作能力的材料。（郵件標題注明:畢業(yè)學校+姓名+博士后）（本招聘信息長期有效）

歡迎有意者投簡歷到郵箱：khli@sustech.edu.cn 返回小木蟲查看更多