研究方向:
氮化鎵半導(dǎo)體光電器件的微納制造、光電器件集成的設(shè)計(jì)、制造與應(yīng)用。

應(yīng)聘要求:
-博士后崗位
1) 近3年內(nèi)已獲得光學(xué)、物理、材料、電子等專(zhuān)業(yè)博士學(xué)位或已取得被授予博士學(xué)位的資格，年齡在35周歲以下；
2) 熱愛(ài)科學(xué)研究、勤奮努力、具有主動(dòng)性、強(qiáng)烈的進(jìn)取心；
3) 能夠熟練使用英文進(jìn)行交流，能夠完成研究論文的撰寫(xiě)；
4) 在國(guó)內(nèi)外刊物以第一作者身份發(fā)表過(guò)較高水平科研論文；
5) 鼓勵(lì)開(kāi)展具有創(chuàng)新性的其它方向的理論與實(shí)驗(yàn)方面的研究工作;
5) 具有半導(dǎo)體器件工藝經(jīng)驗(yàn)經(jīng)歷者優(yōu)先考慮。

崗位待遇:
1）參照《南科大博士后管理辦法》及深圳市相關(guān)人才引進(jìn)條例，年薪30萬(wàn)元（含市政補(bǔ)貼稅后18萬(wàn)元/年）；提供2800元/月住房補(bǔ)貼（如戶口遷往深圳，還可額外獲得政府免稅住房補(bǔ)貼3萬(wàn)元），餐補(bǔ)220元/月。優(yōu)秀者可申請(qǐng)校長(zhǎng)卓越博士后，年薪35萬(wàn)/年。
2）享受正式教職工待遇（（含伙食補(bǔ)貼、節(jié)日補(bǔ)貼、工會(huì)福利、計(jì)生補(bǔ)貼、體檢等等）；
3）可作為負(fù)責(zé)人申請(qǐng)博士后科學(xué)基金、國(guó)家自然科學(xué)基金及省、市各級(jí)課題；
4）出站留深工作滿3年，符合深圳市后備級(jí)條件的可獲160萬(wàn)元的住房補(bǔ)貼和可申請(qǐng)30萬(wàn)元rmb科研啟動(dòng)經(jīng)費(fèi)；
5）海外博士符合條件者可以申請(qǐng)深圳市孔雀計(jì)劃160萬(wàn)住房補(bǔ)貼；
6）學(xué)校為每位博士后提供每?jī)赡?.5萬(wàn)元的學(xué)術(shù)交流資助。

Post-Doc opening

Application is invited for a post-doc opening in the area of optoelectronic device and integration. Specifically, the candidate should show interest and preferably experience in one of the following research areas:

- monolithic Integration of GaN devices
- micro- and nano-patterning of GaN devices
- microcavity semiconductor lasers

The candidate should have a PhD in electrical and electronic engineering, or equivalent (such as mathematics and physics). A competitive salary commensurate with qualifications and experience will be offered, in addition to benefits. Interested candidates may send their CVs to me at khli@sustech.edu.cn.

導(dǎo)師主頁(yè)：
https://khli-sustech.sxl.cn

申請(qǐng)材料：
詳細(xì)的個(gè)人簡(jiǎn)歷，含學(xué)習(xí)、工作和科研的經(jīng)歷，主要科研成果（如論文論著、成果證書(shū)或獎(jiǎng)勵(lì)），及其他可以證明工作能力的材料。（郵件標(biāo)題注明:畢業(yè)學(xué)校+姓名+博士后）（本招聘信息長(zhǎng)期有效）

歡迎有意者投簡(jiǎn)歷到郵箱：khli@sustech.edu.cn 返回小木蟲(chóng)查看更多