測量OER催化電極Cdl的問題
我們一篇文章的做的有關(guān)OER催化劑的，采用的三電極系統(tǒng)審稿意見有如下兩條：
5. In addition, Cdl must be calculated from EIS and be compared with the one to be measured from CV (refer next comment).
6. Cdl is an effective and indirect measure of ECSA of an electrocatalyst, hence, it must be measured and discussed accordingly.
我們用不同掃描速率下的CV曲線，取電壓的中間值的電流密度差為縱坐標(biāo)，掃速為橫坐標(biāo)，出來一條直線，斜率的一半算出一個(gè)Cdl。
按照審稿人意見，我們用EIS也計(jì)算了Cdl，方法是用R(QR)電路擬合EIS譜，得到Rct值，然后從元數(shù)據(jù)讀出虛部最大時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率f，利用公式Cdl=1/(2*PI*Rct*f)計(jì)算出第二個(gè)Cdl值。
結(jié)果發(fā)現(xiàn)，用EIS譜算出的Cdl是用CV算出來Cdl的5~10倍，而且不同材料倍數(shù)不同。
請問各位大佬，這是為什么？是我計(jì)算錯(cuò)了嗎？審稿人的意見可以怎么回復(fù)呢？
另外從這兩種方法計(jì)算出來的Cdl怎么去估算ECSA呢？
謝謝大家
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BET是多少？計(jì)算ecsa，用cdl除以cs，碳材料一般Cs一般是20uF cm-2，其他材料，要從文獻(xiàn)找。自己測Cs比較麻煩，需要用單晶材料。
做EIS取得電位，跟用Cv取的電位，要一致
這個(gè)不嫩操作啊。因?yàn)镃V法測的時(shí)候要求不能在氧化還原區(qū)，一般都在很小的電壓，比如0.1~0.3V這樣。
測EIS一般在過電位以上，這兩個(gè)差距有1V呢
，
單獨(dú)再測一個(gè)EIS，用來算ECSA，測法拉第區(qū)域的EIS，雙電容狀態(tài)與非法拉第區(qū)，是不一樣的