缺陷形成能的計(jì)算
我從文獻(xiàn)和小木蟲上看到有兩種不同的缺陷形成能的公式，一個(gè)是第一張圖中的，一個(gè)是第二張圖中的，感覺這兩個(gè)公式算出來的值應(yīng)該不太一樣，想請(qǐng)教大家，這兩個(gè)公式有什么區(qū)別呢?分別適用于什么情況，感謝！
返回小木蟲查看更多
今日熱帖
猜你喜歡
板塊導(dǎo)航
- 網(wǎng)絡(luò)生活
- 資源共享
- 化學(xué)化工
- 專業(yè)學(xué)科
- 科研生活
- 生物醫(yī)藥
- 材料
- 計(jì)算模擬
- 學(xué)術(shù)交流
- 出國留學(xué)
- 注冊(cè)執(zhí)考
24小時(shí)熱帖
換一批
- 下載小木蟲APP
- 與700萬科研達(dá)人隨時(shí)交流
-
二維碼
-
IOS
-
安卓
京公網(wǎng)安備 11010802022153號(hào)
帶電荷缺陷會(huì)有校正項(xiàng)
對(duì)的呢
第一個(gè)公式是?囊話愕?formation energy 出發(fā)所寫出的 defect formation energy
只適用於中性 (neutral) 系統(tǒng)
defect 很容易吸引電子 (?似水往低處流的概念)
也可能會(huì)排出電子 (傾向形成與週邊環(huán)境融合)
因此 defect 容易帶正電或負(fù)電
此時(shí)，計(jì)算這個(gè)帶電的 defect 的 formation energy
需要對(duì)這個(gè) 正電/負(fù)電 做修正
所以就會(huì)出現(xiàn)你看到的公式 2
尾巴那一項(xiàng) q(EF-Ev-deltaV) 就是修正項(xiàng)，