晶體表面磁控濺射鍍金,一直脫膜,該怎么優(yōu)化工藝?
二氧化碲晶體表面,用磁控濺射鍍膜,條件也試了很多種,一直脫膜,怎么解決啊,懂行的蟲友給點意見吧。
條件是,以Cr作緩沖層,磁控濺射加轟擊,電流115mA,打底真空度是1×10-3Pa,濺射真空3×10-1Pa,Cr濺射電流0.5A,Au濺射電流0.4A。
鍍出來的膜不牢,用膠帶一撕就脫落,是從Cr一起脫落的。單鍍Cr層的時候還是很牢,就是一起鍍兩層的時候就脫落,這個該哪方面優(yōu)化啊
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二氧化碲晶體表面,用磁控濺射鍍膜,條件也試了很多種,一直脫膜,怎么解決啊,懂行的蟲友給點意見吧。
條件是,以Cr作緩沖層,磁控濺射加轟擊,電流115mA,打底真空度是1×10-3Pa,濺射真空3×10-1Pa,Cr濺射電流0.5A,Au濺射電流0.4A。
鍍出來的膜不牢,用膠帶一撕就脫落,是從Cr一起脫落的。單鍍Cr層的時候還是很牢,就是一起鍍兩層的時候就脫落,這個該哪方面優(yōu)化啊
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京公網(wǎng)安備 11010802022153號
試試鍍緩沖層加點氧
應該與基體預處理有關,不知道采取了什么方法預處理?
本人經(jīng)驗:在金屬表面濺射完全沒有問題,在Si片鍍就會出現(xiàn)脫落,情況跟您的一樣。
沒有電子束蒸發(fā)設備
基體預處理是使用汽油和丙酮分別擦拭表面,然后濺射前加離子轟擊清理表面。
同樣的方法鍍玻璃片是沒問題的,很牢不脫膜,鍍氧化碲就脫膜
,
緩沖層加氧,是將鉻氧化,生成氧化鉻,做緩沖層嗎?
金屬之間做緩沖層一般用Cr或Ti,氧化物和金屬之間做過渡一般用氧化硅或者氧化鈦之類的,僅個人建議