低介電損耗聚酰亞胺
純技術(shù)討論：最近在做一點(diǎn)低高頻低介電損耗的聚酰亞胺，10GHz下要求Df≤0.003，有人做過類似的工作嗎？希望可以找人一起交流一下，或者大神過來指點(diǎn)一下，單純從化學(xué)結(jié)構(gòu)上來說，我們應(yīng)該選擇什么樣的化學(xué)結(jié)構(gòu)才更容易制備出低介電損耗的PI呢？目前研究中，多是注重在降低介電常數(shù)，如使用含氟的，大側(cè)基，大自由體積，甚至造孔或者填料共混，有沒有可能單純從化學(xué)結(jié)構(gòu)上改性，做出來低Df的PI呢？
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京公網(wǎng)安備 11010802022153號
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你列舉的條件都有可能實(shí)現(xiàn)低介電低損耗，聚酰亞胺大多數(shù)的配方接電損耗都不高，問題是實(shí)際制備過程中分子量、溶劑及金屬離子殘留、吸水亞胺鍵回到聚酰胺酸都會提升介電常數(shù)和損耗，因此配方選擇只是一個方面，原料純化、工藝控制是關(guān)鍵，也是最大的難點(diǎn)
分子量，金屬離子含量等應(yīng)該影響比較大，最終如果能夠完全變成酰亞胺，如不是強(qiáng)堿性環(huán)境，應(yīng)該很難再水解得到聚酰胺酸的狀態(tài)吧，個人覺得，高頻狀態(tài)下，介電損耗與PI的化學(xué)結(jié)構(gòu)關(guān)系還是蠻大的，不知道對不對
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吸水很厲害的，含氟PI稍好，對介電影響很大
PI吸水后DK和Df確實(shí)會大幅度增加，使用含氟結(jié)構(gòu)的單體，會很大程度降低材料的吸水率，Dk和Df吸水前后的介電性能差異相對會小一些，但對于未吸水的PI如果能夠做到10GHz下的Df小于0.003，目前對國內(nèi)來說，難度還是比較高的。
目前我用聚烯烴做，強(qiáng)粘接性且介電損耗可以做到0.002以下！