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小木蟲論壇-學術科研互動平臺 » 材料區(qū) » 微米和納米 » 微納器件 » 求助大神：N型SiC歐姆接觸測試問題
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guotao019新蟲 (著名寫手)
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[求助]
求助大神：N型SiC歐姆接觸測試問題 已有2人參與
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N外延片上離子注入形成N型和P型4H-SiC，目標濃度為3*10^20 cm-3，深度300nm，箱型分布；做的歐姆接觸，用圓形傳輸線法測試，N型的擬合效果都特別差，得出的比接觸值也不對，但P型的擬合的都很好。 求大神告知原因？ ps: 退火溫度為1000℃/3min RTA，N和P退火溫度一樣。退火后形貌也不錯。 版圖：左邊圓環(huán)內(nèi)徑均為150um,外徑步長為10um增大。右邊圓環(huán)內(nèi)徑均為100um,外徑步長為10um增大。 N型.png p型.png 版圖.png@yswyx |
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27樓2016-05-05 10:33:51
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2樓2016-03-09 20:56:16
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3樓2016-03-10 09:47:26
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guotao019: 金幣+5, ★有幫助 2016-05-06 09:40:58
guotao019: 金幣+5, ★有幫助 2016-05-06 09:40:58
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我覺得是因為測試問題，SiC的電子遷移率1000cm2·V-1·s-1，空穴遷移率只有115cm2·V-1·s-1，幾乎差了10倍，所以如果摻雜濃度和結深一樣，結果方塊電阻應該也差了10倍。我用你給的值算了一下，n型的方塊電阻大概2Ω，p型的大概18Ω 這個時候兩探針和四探針的差別就很明顯了，一般探針的接觸電阻有幾Ω，p型的電阻測出來值肯定都在幾十歐，影響不大，還能成線性，n型的值就在幾歐，這個時候接觸電阻的影響很大了，每次測量接觸電阻都可能不同，所以結果就曲里拐彎不在一條線上了。 試試用四探針法測量n型。 還有就是你這個p型的半導體看著阻值都在幾百歐，比計算值大了5~10倍左右，感覺結深或者濃度不大夠。 PS：問一下你是那個學校的？你們那邊做SiC有沒有那種做Al注入的高能量注入設備？ |
4樓2016-03-10 22:33:39
guotao019
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我用的環(huán)形電極，提取的P型的方塊電阻在10K左右。而且N型碳化硅注入后的方塊電阻值會在百歐到1K之間，現(xiàn)在水平是做不到幾個歐的，應該不是測試問題。我是西電的，北方能做碳化硅離子注入的也就兩家吧，一個是北京泰科天潤，一個是半導體所。我是在泰科做的，Al最高能注的能量是400KeV貌似。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
5樓2016-03-10 23:34:35
dorrnm
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不好意思沒說清楚.. 我的意思是，你看你給的圖，n型的電阻值在8歐姆左右，不同距離的差異在一歐以下，這個時候接觸電阻變化，會影響到你的測量結果，因為每次扎針接觸電阻都不一樣，像p型那樣兩個點阻值差幾百歐的可以忽略，差一歐姆的不能忽略，所以要用四探針法。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
6樓2016-03-11 15:43:48
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樓主你好，你現(xiàn)在解決n的問題了嗎?我也做過n-4H SIC歐姆接觸，環(huán)形傳輸線得到的方塊電阻在幾十歐，測得的I-V線性，但R-ln(rn/r0)點比較散沒法擬合，請問你是這種情況嗎?還想請教一下I-V線性是不是就說明形成歐姆接觸了？ 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
7樓2016-03-23 22:51:05
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8樓2016-03-23 22:54:08
guotao019
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9樓2016-03-23 23:33:06
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10樓2016-03-23 23:35:03
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