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愚不可及木蟲 (正式寫手)
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[求助]
求助GCD中IR和EIS中阻抗的關(guān)系 已有1人參與
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如題,GCD中IR和EIS中阻抗是否有直接關(guān)系呢?我的測(cè)試結(jié)果是不是相互矛盾的,如果是相互矛盾又該怎么解釋它呢?還有就是我這壓差降這么大正常么。。。? @VIMPILE 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
木蟲 (正式寫手)
| 1,我怎么看聚苯胺的IR降更大呢?接近0.4V了,而且一張圖中電流是一樣的吧,不用換算成電流密度,設(shè)參數(shù)的時(shí)候設(shè)的是電流,如果兩者參數(shù)設(shè)置一樣,那圖中IR應(yīng)該是聚苯胺大;2,IR表示放電初期材料性質(zhì)不穩(wěn)定引起的,儲(chǔ)存的一部分電荷是虛的,放電的一瞬間電壓就降下來了,主要體現(xiàn)在充放電容量不均等,可能是基體于活性物質(zhì)間結(jié)合性的問題,可以通過改良電集體與活性物質(zhì)的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)分布情況改進(jìn),而EIS表現(xiàn)的是對(duì)電活性儲(chǔ)能物質(zhì)施加擾動(dòng)時(shí),其各部分的抗擾動(dòng)情況,分超高,高,中,低超低幾個(gè)頻率范圍分析,你的EIS圖比較簡(jiǎn)單,類似于常見的導(dǎo)電高分子聚合物,也就是Rs,Rct,W這幾個(gè)值,比較好分析。3,充放電圖中兩者IR均較大,實(shí)際上聚苯胺在其他應(yīng)用中此問題并非普遍存在,抑或IR值很小,或一個(gè)有,一個(gè)沒有,你的圖中改性和未改性的都有,還比較大,所以現(xiàn)在要解決的問題是實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)誤差問題,先解決IR值過大的問題,這是比較好解決的,提供兩個(gè)方案(1,恒電流充放電過程中穿插設(shè)定恒壓段,考察電流變化,及恒壓段后放電曲線的IR值;2,改善基體表面結(jié)構(gòu),從粗糙度,添加導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)或粘結(jié)劑幾個(gè)角度嘗試,分層沉積來改善基體與聚苯胺的結(jié)合度的論文很多,顯著改善IR降)。總結(jié)一點(diǎn),IR降過普遍大考慮的是改善體系,但是單一組IR降過大,可歸因于本材料本身機(jī)械,電化學(xué)性質(zhì)不好的原因。 |
鐵蟲 (正式寫手)
鐵蟲 (正式寫手)
木蟲 (正式寫手)
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