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能否 基于電阻率躍變點(diǎn)來測(cè)試硅錠提純工藝出成率?
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看到一篇發(fā)明專利,是關(guān)于簡(jiǎn)單檢測(cè) 硅錠提純出成率的,具體如下: “采用硅材料測(cè)試儀或電阻率測(cè)試儀測(cè)試硅錠電阻率,通過電阻率躍變點(diǎn)對(duì)應(yīng)的硅錠高度除以硅錠總高度即得出硅錠提純工藝的出成率。該方法高效便捷,可以隨時(shí)隨地進(jìn)行檢測(cè)分析,擺脫了實(shí)驗(yàn)室復(fù)雜的測(cè)試工序,提高了效率,僅需一臺(tái)簡(jiǎn)單的硅材料測(cè)試儀或電阻率測(cè)試儀即可解決問題,對(duì)于定向提純來說是一種行之有效的出成率測(cè)試手段! 請(qǐng)問各位蟲友大神,上述方法能夠?qū)嵤┗蛴行?有沒有類似的現(xiàn)有檢測(cè)技術(shù)? |

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